Фотоответ
Cтраница 3
Ферми, однако ни время жизни, ни время фотоответа существенно не изменяются. Следовательно, в этой модели как фототек, так и время фотоответа будут независимы от температуры при постоянной интенсивности света. [31]
Следует также указать иа то, что исследование времени фотоответа является очень чувствительным методом обнаружения ничтожно малых концентраций уровней прилипания. [32]
Многие исследователи предпринимали попытки эмпирически определять формулу для расчета фотоответа ЭЛ-ячейки на поданное напряжение. При этом было предложено много формул. [33]
Для удобства в третьей колонке табл. 1 указаны максимальные значения относительного переменного фотоответа. Оба эти явления согласуются с той точкой зрения, что при относительной влажности ниже 50 %) каналы на данном образце не образуются. При относительной влажности около 75 % поверхность поглощает достаточное количество воды, чтобы имел место большой ток утечки через переход, поэтому сопротивление образца оказывается малым по сравнению с входным сопротивлением усилителя и измеряемый фотоответ уменьшается. При относительной влажности 97 % образуется канал; вместе с тем слой пространственного заряда подавляет электролитические поверхностные утечки и восстанавливает высокую величину измеряемого фотоответа. В последнем случае неосновные носители тока от создаваемых светом электронно-дырочных пар собираются как объемным р - n - переходом, так и поверхностным, создающимся в канале. [34]
Инерционность фотоприемников характеризуется постоянными времени фронта нарастания тн и спада тсп фотоответа при импульсной засветке. Ими определяются предельные рабочие частоты модуляции света, при которых еще не происходит заметного уменьшения фотоответа. Постоянная времени тсп определяется как интервал времени после прекращения воздействия излучения, по истечении которого спадающее по экспоненте напряжение фотосигнала уменьшается в е раз. Если используется синусоидальная модуляция светового потока, то быстродействие фотоприемника характеризуется граничной частотой / гр, на которой фотоответ уменьшается до уровня 0 7 относительно стационарного значения. [35]
Для образцов с высокой собственной фоточувствитслыюстыо значительные трудности представляла проблема отделения истинного фотоответа от ложных. Например, при энергиях фотонов меньше - 0 35 эв даже при Использовании германиевого фильтра и толстой стеклянной пластины для исключения постороннего света часто наблюдались ложные сигналы. [36]
 |
Спектральные характеристики кремниевого фотоприемника при разных обратных смещениях. [37] |
Для кремниевых фотодиодов с небольшими диффузионными длинами ( 60 мкм) максимум фотоответа приходится на более коротковолновую область спектра. С ростом напряжения обратного смещения из-за расширения области объемного заряда коэффициент собира - - ния в длинноволновой области увеличивается. [38]
Это рассмотрение позволяет также выяснить возможный вклад контактов в инерционность ( время фотоответа) фотопроводников. Предположим, что ток в фотопроводнике необходимо удвоить путем увеличения вдвое интенсивности света при постоянном приложенном напряжении. Обеспечиваемый контактом ток также должен быть удвоен. Такой вклад в инерционность будет значительным, если заряд электронов, находя-щихся в пределах дебаевской длины от виртуального катода, превосходит полный заряд свободных носителей и носителей, захваченных на уровни, находящиеся в тепловом контакте с зоной проводимости, в объеме фотопроводника. Это может оказаться возможным, так как расположенные у контакта центры рекомбинации также вносят свой вклад в заряд, в то время как в объеме вносят вклад только центры прилипания. Последние обычно определяют инерционность фотопроводника. [39]
Мы начнем с краткого обсуждения вопроса о максимальном значении произведения чувствительности и времени фотоответа, которое может бить достигнуто в фотопроводниках. [40]
Чувствительность может быть определена как фотоответ на излучение с данной длиной волны или как фотоответ на излучение от черного тела с данной температурой. [41]
У кремниевых фотодиодов максимум чувствительности также сдвигается при охлаждении в коротковолновую область спектра, но фотоответ для А 550 7 мкм практически от температуры не зависит. [43]
На экране кинескопа в этом случае наблюдают изображения, яркость отдельных точек которого пропорциональна величине фотоответов полупроводника на световое воздействие в соответствующих зонах. Метод перспективен для контроля интегральных схем. [44]
Инерционные свойства фотодиодов можно характеризовать предельной рабочей частотой ( частота модуляции света, на которой амплитуда фотоответа уменьшается до и / oi максимальной, постоянной времени фотоответа ( определяемой по времени нарастания импульса фотоответа до 0 63 до максимального, при прямоугольном импульсе света), сдвигом фаз между входным ( световым) и выходным ( электрическим) сигналом. [45]
Страницы: 1 2 3 4