Cтраница 4
Рассмотрим, например, пленку с подвижностью при комнатной температуре, равной 1, и временем фотоответа в 1 мс. Тогда, согласно формуле (4.13), LT должна составлять 50 мкм, что существенно превышает толщины обычно используемых пленок. В результате этого процессы поверхностной рекомбинации не играют важной роли. [46]
Как правило, применяются ловушки, захватывающие дырки, причем их тип и концентрация зависят от требуемой предельной частоты фотоответа. [47]
Недавно в теории фотопроводимости было сформулировано простое и очень важное соотношение между основными параметрами фотопроводников: чувствительностью, временем фотоответа и проводимостью, определяемое произведением коэффициента усиления на ширину по: осы. Это соотношение позволяет оценить пределы применимости прибора, действие которого основано на фотоэффекте. Кроме того, оно позволяет дать более строгое определение таким понятиям, как уровни прилипания, центры рекомбинации, время жизни свободных носителей и время фотоответа. Это соотношение используется также при аналиче явлений протекания тока, ограниченного объемным зарядом, в твердых телах, что дает возможность связать эти явлении с влиянием электрических контактов на токи, текущие в объеме. [48]
Эта модель удовлетворяет исходным условиям, а именно: время жизни не зависит от интенсивности света, а время фотоответа сильно уменьшается при увеличении интенсивности света. Очевидно, для получения этих результатов не обязательно, чтобы уровни Nt имели строго однородное распределение и располагались выше уровней fJr вплоть до зоны проводи-мостиг Определяющим здесь является лишь небольшой участок энергетического распределения уровней Nt ( вблизи равновесного уровня Ферми Ef), заполнение которого определяет время фотоответа и в пределах которого происходит перемещение электронного квазиуровня Ферми. В рассматриваемом случае этот участок равен примерно 0 3 эв, что соответствует изменению концентрации электронов в 106 раз при комнатной температуре. [49]
Знак фотоответа указывает, какая из двух избыточных против стехиометрии компонент - металлическая или кислородная - преобладает, а амплитуда фотоответа позволяет определить, насколько одна избыточная компонента превышает другую. [50]
Флуктуации фототока являются естественным пределом чувствительности фотопроводника, поэтому исследование пороговой чувствительности складывается из изучения природы шума и выяснения зависимости фотоответа от интенсивности и частоты светового сигнала. [51]
В GaP трудно наблюдать осциллирующие магнитооптические эффекты, так что лучшие значения ширины запрещенной зоны получают из анализа данных поглощения и фотоответа. [52]