Фотопотемнение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Рассказывать начальнику о своем уме - все равно, что подмигивать женщине в темноте, рассказывать начальнику о его глупости - все равно, что подмигивать мужчине на свету. Законы Мерфи (еще...)

Фотопотемнение

Cтраница 1


Фотопотемнение в халькогенидных стеклах [143-154] является типичным явлением в аморфной фазе.  [1]

Процессы фотопотемнения и фотопросветления пленок ХС, описанные в разделе 1, являются реверсивными и обратимоть их достигается отжигом при температурах ниже температуры размягчения стекла.  [2]

Так как время нарастания фотопотемнения ( 70 мкс) не зависит от периода дифракционной решетки, DI пренебрежимо мал.  [3]

В свежеприготовленных пленках в случае As2Se3 наблюдается фотопотемнение, а в случае GeSe2 - как потемнение, так и просветление в зависимости от температуры облучения.  [4]

5 Изменение цвета субоксидиых тонких пленок, индуцируемое действием световой вспышки. [5]

Пленки субоксидов, осажденные на подложки из ПММА методом восстанавливающего напыления, обладали свойствами фотопотемнения или фотоосветления. В табл. 7.3.3 показано изменение цвета различных тонких субоксидных пленок, индуцируемое действием на них света ксеноновои вспышки продолжительностью 1 мс.  [6]

7 Зонная диаграмма для объяснения динамики фотопотемнения 1142 ]. 1 - проводящие состояния. II - локализованные состояния. III - состояния, отвечающие За фотопотемнение. [7]

Возбужденные носители движутся по подвижным состояниям и захватываются неподвижными глубокими локализованными состояниями, после чего постепенно релаксируют до уровня фотопотемнения с относительно большим временем затухания 70 мкс.  [8]

9 Временная эависимость фотоиндуцированных иэменений ПП при включении О и выключении ( t облучающего света с энергией 1 96 и 2 81 эВ.| Схема ФОП. [9]

В аморфной пленке As2S3, которая отжигалась при температуре чуть ниже температуры стеклования ( - 170 С), наблюдается рост ПП при освещении светом, длина волны которого отвечает ширине запрещенной зоны ( зонный свет), причем это возрастание не исчезает в темноте. Это явление, хорошо известное под названием фотопотемнение, связано с фотоструктурным превращением. Обнаружено также, что повышающийся таким образом ПП пленки As2S3 динамически уменьшается при освещении светом, длина волны которого отвечает энергии, меньшей ширины запрещенной зоны ( субзонный свет), и это уменьшение сохраняется в темноте.  [10]

11 Оптические константы субоксидных пленок при 830 им 27 ]. [11]

РЬО, нагретой на воздухе выше 210 С, растет, а при нагревании в инертном газе, например, в Аг, оно постепенно падает. С возрастает - На основании этих результатов явления фотопотемнения или фотоосветления при световой вспышке можно связать с влиянием нагрева пленок.  [12]

Эта модель по сути аналогична предложенной Танака [155] модели потенциала с двумя минимумами в основном состоянии. Однако в настоящей модели возбужденные носители релаксируют до состояния фотопотемнения через локализованные состояния вблизи середины запрещенной зоны. Кроме того, в настоящей модели не обязательно присутствие высокой плотности локализованных состояний [155], так как они не являются финальной стадией в процессе фотопотемнения.  [13]

С ее помощью внесена определенная ясность в динамику процесса фотопотемнения халькогенидного стекла А5г83, а также в динамику носителей в оптически освещенном a - Si: H, полученном в ТР. Динамическое поведение процесса фотопотемнения заключается в том, что возбужденные носители диффундируют в подвижных состояниях и релаксируют до состояния фотопотемнения с участием локализованных состояний вблизи середины запрещенной зоны. Быстрая пикосекундная релаксация обнаружена в a - Si: Н, освещенном светом. Она объясняется в рамках механизма многократного захвата с учетом мелких и глубоких локализованных состояний, действие которого усиливается после оптического освещения.  [14]

Экспериментальные результаты можно свести к следующему: 1) показатель преломления быстро растет после возбуждения с постоянной времени возбуждающего импульса и затухает до первоначального значения с постоянной времени Т; 2) постоянная времени Т зависит от периода дифракционной решетки Л; 3) после быстрого спада показатель преломления вновь постепенно растет с постоянной времени 70 мкс. Эта постоянная времени не зависит от периода дифракционной решетки; 4) в итоге показатель преломления стремится к стационарному значению, соответствующему фотопотемнению; 5) это конечное значение возвращается к первоначальному значению после термообработки.  [15]



Страницы:      1    2    3