Фотопотемнение

Cтраница 3

Интервал [ I ] соответствует быстрому затуханию дифрагированного света. Интервал [ II ] представляет собой квазистационарную область после быстрого затухания, как показано на рис. 3.6.2, а. Интервал [ IV ] отвечает области стационарного фотопотемнения. В эксперименте после первой составляющей затухания эффективность дифракции падает почти до нуля, как показано на рис. 3.6.2, а. Этот результат свидетельствует о том, что промежуточное состояние не вносит такого сильного изменения показателя преломления. Расчетная кривая, показанная сплошной линией, удовлетворительно описывает экспериментальные результаты по первому затуханию. [31]

Составляющая первого спада при различных периодах решетки. сплошные криные - теоретические значения согласно уравнению. штриховые - экспериментальные результаты. [33]

На рис. 3.6.2 показаны типичные осциллограммы интенсивности дифрагированного света в двух масштабах времени, когда период дифракционной решетки составлял 3 6 мкм. Интенсивность дифрагированного света быстро нарастает и снижается до нуля с постоянной времени Т 2 мкс. После этого спада интенсивность шфра-гировзнного света вновь постепенно нарастает до уровня стационарной дифракции с постоянной времени 70 мкс. Стационарный уровень интенсивности дафрагирован-ного света, показанный на том же рисунке, дает представление об уровне дифракции на решетке, относящемся к фотопотемнению. На рис. 3.6.3 показаны различные наблюдавшиеся кривые затухания составляющей первого спада для различных периодов решетки. [34]

С помощью этих экспериментов удалось получить полезную информацию относительно динамики носителей в аморфных полупроводниках. Этим методом можно одновременно и независимо определять коэффициент диффузии и времени жизни носителей в возбужденном состоянии. В данной статье освещены два вопроса, которые были предметом исследования с помощью упомянутого метода спектроскопии, а именно: динамическое поведение процесса фотопотемнения в халькогенидном стекле As2S, и динамика носителей в оптически освещенном a - Si: Н, полученном в ТР. Хотя процесс фотопотемнения в пикосекундной области не происходит, приводимый в статье пример можно рассматривать как лолезное применение ПНДС. [35]

С помощью этих экспериментов удалось получить полезную информацию относительно динамики носителей в аморфных полупроводниках. Этим методом можно одновременно и независимо определять коэффициент диффузии и времени жизни носителей в возбужденном состоянии. В данной статье освещены два вопроса, которые были предметом исследования с помощью упомянутого метода спектроскопии, а именно: динамическое поведение процесса фотопотемнения в халькогенидном стекле As2S, и динамика носителей в оптически освещенном a - Si: Н, полученном в ТР. Хотя процесс фотопотемнения в пикосекундной области не происходит, приводимый в статье пример можно рассматривать как полезное применение ПНДС. [36]

С помощью этих экспериментов удалось получить полезную информацию относительно динамики носителей в аморфных полупроводниках. Этим методом можно одновременно и независимо определять коэффициент диффузии и времени жизни носителей в возбужденном состоянии. В данной статье освещены два вопроса, которые были предметом исследования с помощью упомянутого метода спектроскопии, а именно: динамическое поведение процесса фотопотемнения в халькогенидном стекле As2S, и динамика носителей в оптически освещенном a - Si: Н, полученном в ТР. Хотя процесс фотопотемнения в пикосекундной области не происходит, приводимый в статье пример можно рассматривать как полезное применение ПНДС. [38]

Страницы: 1 2 3