Фотопотемнение
Cтраница 2
 |
Рассеянный ИК-свет от криволинейного волновода.| Измеренные значения оптической ширины запрещенной зоны.. пт и ее сдвига Д Е пт [ 18J. [16] |
Эти потери можно снизить, уменьшив ширину волновода. В то же время, потери на излучение в криволинейном участке пренебрежимо малы, а потери на распространение почти равны потерям в планарном волноводе, упомянутом ранее. Фотопотемнение осуществлялось при освещении ИК-ртутной лампой мощностью 40 мВт / см2, а отжиг проводился в течение 4 ч при 180 С на воздухе с последующим медленным охлаждением со скоростью менее 4 град / мин. В таблице указано также различие оптических ширин запрещенных зон ЛЕ пт после отжига и после освещения. [17]
С ее помощью внесена определенная ясность в динамику процесса фотопотемнения халькогенидного стекла А5г83, а также в динамику носителей в оптически освещенном a - Si: H, полученном в ТР. Динамическое поведение процесса фотопотемнения заключается в том, что возбужденные носители диффундируют в подвижных состояниях и релаксируют до состояния фотопотемнения с участием локализованных состояний вблизи середины запрещенной зоны. Быстрая пикосекундная релаксация обнаружена в a - Si: Н, освещенном светом. Она объясняется в рамках механизма многократного захвата с учетом мелких и глубоких локализованных состояний, действие которого усиливается после оптического освещения. [18]
 |
Рассеянный ИК-свет от криволинейного волновода.| Измеренные значения оптической ширины запрещенной зоны.. пт и ее сдвига Д Е пт [ 181. [19] |
Эти потери можно снизить, уменьшив ширину волновода. В то же время, потери на излучение в криволинейном участке пренебрежимо малы, а потери на распространение почти равны потерям в планарном волноводе, упомянутом ранее. Сдвиги ширины запрещенной зоны Е пт, ьызванные фотопотемнением и отжигом, для различных составов представлены в табл. 7.2.1. Фотопотемнение осуществлялось при освещении ИК-ртутной лампой мощностью 40 мВт / см2, а отжиг проводился в течение 4 ч при 180 С на воздухе с последующим медленным охлаждением со скоростью менее 4 град / мин. В таблице указано также различие оптических ширин запрещенных зон после отжига и после освещения. [20]
Из рис. 7.3.9, б следует, что ход кривых при высокой влажности фактически аналогичен. Пропускание пленки, обогащенной Те ( х 0 8), резко падает, а затем восстанавливается. Этот факт можно объяснить тем, что вначале происходит фотопотемнение за счет термической кристаллизации, а далее наступает осветление благодаря процессу окисления во влажных условиях. Эта тенденция коррелирует с деградационными характеристиками обычных поликристаллических плгнок, свойства которых быстро ухудшаются в условиях высокой влажности. Можно заключить, что пленки ТеО состава х 1 1 чрезвычайно устойчивы по отношению к дальнейшему окислению, т.е. они устойчивы в условиях высокой влажности. [22]
Из рис. 7.3.9, б следует, что ход кривых при высокой влажности фактически аналогичен. Пропускание пленки, обогащенной Те ( х 0 8), резко падает, а затем восстанавливается. Этот факт можно объяснить тем, что вначале происходит фотопотемнение за счет термической кристаллизации, а далее наступает осветление благодаря процессу окисления во влажных условиях. Эта тенденция коррелирует с деградационными характеристиками обычных поликристаллических плгиок, свойства которых быстро ухудшаются в условиях высокой влажности. Можно заключить, что пленки ТеО состава х 1 1 чрезвычайно устойчивы по отношению к дальнейшему окислению, т.е. они устойчивы в условиях высокой влажности. [24]
Эти потери можно снизить, уменьшив ширину волновода. В то же время, потери на излучение в криволинейном участке пренебрежимо малы, а потери на распространение почти равны потерям в планарном волноводе, упомянутом ранее. Сдвиги ширины запрещенной зоны Е пт, ьызванные фотопотемнением и отжигом, для различных составов представлены в табл. 7.2.1. Фотопотемнение осуществлялось при освещении ИК-ртутной лампой мощностью 40 мВт / см2, а отжиг проводился в течение 4 ч при 180 С на воздухе с последующим медленным охлаждением со скоростью менее 4 град / мин. В таблице указано также различие оптических ширин запрещенных зон после отжига и после освещения. [25]
С ее помощью внесена определенная ясность в динамику процесса фотопотемнения халькогенидного стекла А5г83, а также в динамику носителей в оптически освещенном a - Si: H, полученном в ТР. Динамическое поведение процесса фотопотемнения заключается в том, что возбужденные носители диффундируют в подвижных состояниях и релаксируют до состояния фотопотемнения с участием локализованных состояний вблизи середины запрещенной зоны. Быстрая пикосекундная релаксация обнаружена в a - Si: Н, освещенном светом. Она объясняется в рамках механизма многократного захвата с учетом мелких и глубоких локализованных состояний, действие которого усиливается после оптического освещения. [26]
Для изучения динамики возбужденных носителей в аморфных полупроводника: применялся метод пикосекундной нестационарной дифракционной спектроскопии С ее помощью внесена определенная ясность в динамику процесса фотопотемнени. Динамическое поведение процесса фотопотем нения заключается в том, что возбужденные носители диффундируют в подвижных состояниях и релаксируют до состояния фотопотемнения с участием локализованных состояний вблизи середины запрещенной зоны. Быстрая пикосекундная релаксация обнаружена в a - Si: II, освещенном светом. Она объясняется в рамках механизма многократного захвата с учетом мелких и глубоких локализованных состояний, действие которого усиливается после оптического освещения. [27]
 |
Состанляющая первого спада при различных периодах решетки. сппош ные криные - теоретические значения согласно уравнению. штриховые экспериментальные результаты. [28] |
На рис. 3.6.2 показаны типичные осциллограммы интенсивное дифрагирован ного света в двух масштабах времени, когда период дифракционной решетки состав лял 3 6 мкм. Интенсивность дифрагированного света быстро нарастает и снижаете: до нуля с постоянной времени Т 2 мкс. Стационарный уровень интенсивности дафрагиронан ного света, показанный на том же рисунке, даст представление об уровне дифракцш на решетке, относящемся к фотопотемнению. На рис. 3.6.3 показаны различны наблюдавшиеся кривые затухания составляющей первого спада для различны; периодов решетки. [29]
Эта модель по сути аналогична предложенной Танака [155] модели потенциала с двумя минимумами в основном состоянии. Однако в настоящей модели возбужденные носители релаксируют до состояния фотопотемнения через локализованные состояния вблизи середины запрещенной зоны. Кроме того, в настоящей модели не обязательно присутствие высокой плотности локализованных состояний [155], так как они не являются финальной стадией в процессе фотопотемнения. [30]
Страницы: 1 2 3