Cтраница 1
Фотопроводимость характерна для полимеров, имеющих сопряженные связи в основной цепи или в боковых группах. Однако это явление наблюдается и для полиэтилена, что связывают с наличием в нем примесей. Предполагается, что при воздействии света в макроцепи образуется экситонное возбуждение, которое мигрирует по полимерной матрице до встречи с дефектом или другим экси-тоном. [2]
Фотопроводимость в p - n - переходе возможна благодаря следующему обстоятельству. Под воздействием света ( фотонов) электрон может, получив энергию от фотона, перейти с одного энергетического уровия на другой, более высокий, где он станет участвовать в механизме электропроводимости. [3]
Фотопроводимость, как и темповая проводимость, изменяется с температурой по экспоненциальному закону. В табл. 4 даны в зависимости от ТТО значения энергии активации темновой проводимости и фотопроводимости при освещении образцов светом различных длин волн. [4]
![]() |
Зависимость коэффи - ф 7. [5] |
Фотопроводимость является функцией частоты излучения и зависит от температуры окружающей среды. Понижение - температуры увеличивает чувствительность полупроводников к освещению, так как при этом ослабляется фактор помехи, освобождающий электроны. [6]
Фотопроводимость ( см. § 202) полупроводников - увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения - может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей. В результате возникает собственная фотопроводимость, обусловленная как электронами, так и дырками. [7]
Фотопроводимость этих соединений изучалась в поверхностной ячейке на слоях толщиной - 0 1 мм в вакууме Ю 1 мм рт. ст. Отмечается высокая инерционность фототока в этих полупроводниках. Автор отмечает, что такое поведение могло быть связано с нагреванием образца при длительном освещении. В то же время на начальной стадии нарастания и спада фототока имеется малоинерционная составляющая, величина которой для разных образцов колеблется от 3 до 21 % от темнового тока. [8]
Фотопроводимость, возрастание электропроводности, вызванное облучением, приводит к быстрому уменьшению сопротивления. На явлении фотопроводимости или внутреннего фотоэффекта основаны приборы, называемые фотосопротивлениями, и фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Облучение полупроводника светом достаточно большой частоты вызывает обычный внешний фотоэффект - вырывание электронов из полупроводника. [9]
![]() |
Модель кристаллической структуры антрацена ( по Метте и Пику. [10] |
Фотопроводимость в антрацене была обнаружена еще в 1906 году, но до 1950 года электронные свойства этого соединения были изучены мало. Примерно к этому времени относится возрастающий интерес к электронным свойствам органических твердых тел, по-видимому, в связи с успешным использованием свойств неоргани ческих полупроводников. [11]
![]() |
Спектры поглощения и фотопроводимости антрацена 158 ]. / - фототок. 2 - константа поглощения. [12] |
Фотопроводимость зависит от увеличения количества носителей вследствие создания пар электрон - дырка ( за счет фотоэлектрического эффекта); люминесценция может происходить в результате рекомбинации носителей двух этих типов. [13]
Фотопроводимость - увеличение электропроводности полупроводника, вызванное его освещением. Такие полупроводни-ки широко используются для изготовления фоторезисторов, отличающихся высокой чувствительностью и заметной инерционностью фотоэффекта. [14]
Фотопроводимость - увеличение электропроводности полупроводника, вызванное его освещением. [15]