Фотопроводимость

Cтраница 3

Распределение внутреннего фотоэффекта. [31]

Фотопроводимость материала зависит от количества и качества примесей, а для сильно поглощаемого света и т состояния поверхности. [32]

Фотопроводимость ПАН исследовалась на пленках полимера, обрабатываемых в высоком вакууме, в тех же условиях, для которых ранее [36, 37] были получены данные о механизме его превращений при термолизе. [33]

Зависимость квантового выхода Ys Ge от энергии фотонов. [34]

Внутризонная фотопроводимость связана с изменением подвижности носителей заряда при их перераспределении по энергетич. Рассеяние носителей заряда в твердом теле); прямые оптич. [35]

Фотопроводимость полупроводников может обнаруживаться в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой частях электромагнитного спектра в зависимости от ширины запрещенной зоны, которая в свою очередь зависит от типа полупроводника, температуры, концентрации примесей и напряженности электрического поля. [36]

Фотопроводимость германия в инфракрасной области, обусловленная нейтральными примесями. [37]

Фотопроводимость сплавов золото - германий. [38]

Фотопроводимость InSb изучали Тауц и Абрагам [31], а позднее Гудвин [32] и Эвери, Гудвин и Ренни [33] на образцах высокой чистоты. [39]

Кинетика нарастания фотопроводимости при облучении полупроводника светом и спада фотопроводимости после прекращения облучения. [40]

Фотопроводимость полупроводников проявляется обычно IB сравнительно узком спектральном интервале. [41]

Фотопроводимость диэлектриков тесно связана с оптическим поглощением. Освобожденный при поглощении света электрон может свободно двигаться в зоне проводимости до тех пор, пока не будет захвачен какой-либо ловушкой. Иногда удобнее измерять электропроводность, а не поглощение света, хотя количество извлекаемой информации о характере ионизации и концентрации дефектов в обоих случаях будет одинаковы. [42]

Фотопроводимость германия характеризует кривая рис. 1.27. Механизм и закономерности этого явления были подробно рассмотрены в § 1.11. Следует отметить, что фотоэффект в германии наблюдается и при поглощении быстрых электронов, а также при торможении элементарных частиц больших масс. Так, при поглощении а-частицы отмечается импульс тока продолжительностью около 0 5 мксек, соответствующий прохождению 106 электронов. [43]

Фотопроводимость полупроводников может обнаруживаться в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой частях электромагнитного спектра в зависимости от ширины запрещенной зоны, которая, в свою очередь, зависит от типа полупроводника, температуры, концентрации примесей и напряженности электрического поля. [44]

Фотопроводимость твердого вещества, по-видимому, зависит от концентрации радикалов. [45]

Страницы: 1 2 3 4