Фотопроводимость

Cтраница 2

Фотопроводимость в антрацене измеряется значительно легче, поэтому ей уделено больше внимания. В антрацене это далеко не так. Вартанян [169] установил, что граница находится около 4000 А, или около 3 эв. Это значительно больше, чем удвоенная энергия активации, и поэтому последовало много работ по изучению спектральной чувствительности фотото-ка. Вскоре было показано, в основном в работах Лайонса и его сотрудников [26, 27, 22], что между спектральной чувствительностью фототока и спектрами поглощения имеется большое соответствие. [16]

Фотопроводимость, или внутренний фотоэффект, возникает далеко не во всех полупроводниках, но, независимо от этого, поглощение веществом падающего на него излучения является непременным условием появления фотопроводимости. Только в этом случае может в принципе возникнуть фотоэффект. [17]

Фотопроводимость характерна для полимеров, имеющих сопряженные связи в основной цепи или в боковых группах. Однако это явление наблюдается и для полиэтилена, что связывают с наличием в нем примесей. Предполагается, что при воздействии света в макроцепи образуется экситонное возбуждение, которое мигрирует по полимерной матрице до встречи с дефектом или другим экси-тоном. [18]

Фотопроводимость при двухфотоином возбуждении изучена в фосфиде галлия [480], теллуриде цинка [ 480 а, 481 ] и других полупроводниках. Двухфотонное поглощение представляет особый интерес для возбуждения генерации в полупроводниках [481] ( гл. [19]

Фотопроводимость, связанная с расположенным выше уровнем Hg, наблюдалась ( с максимумом при 5 мкм), но она не имеет практического значения. [20]

Схема процессов фотовозбуждения. [21]

Фотопроводимость в примесном фоторезисторе может возникать в результате поглощения фотонов с энергией, равной или превышающей энергию, отделяющую зоны проводимости от валентной зоны. Фотовозбуждение может происходить между краем зоны и энергетическим уровнем в запретной зоне. [22]

Фотопроводимость при волнах короче 1 8 мк определяется возбуждением электронов с более низких уровней валентной зоны на более высокие уровни зоны проводимости. На кривой рис. 1.27 виден хвост, тянущийся до 1 9 - 2 мк. [23]

Фотопроводимость в полупроводниковом диоде, вызванная изменением времени жизни. [24]

Фотопроводимость обусловлена внутренним фотоэффектом. В полупроводнике ( или диэлектрике) под влиянием света образуются дополнительные неравновесные носители тока. [25]

Фотопроводимость кристаллов-появление под действием света добавочных электронов проводимости внутри полупроводника, что ведет к уменьшению сопротивления облучаемого светом тела. [26]

Фотопроводимость характерна для полимеров, имеющих сопряженные связи в основ - ной цепи или в боковых группах. Однако это явление наблюдается и для полиэтилена, что связывают с наличием в нем примесей. Предполагается, что при воздействии света в макроцепи образуется экситонное возбуждение, которое мигрирует по полимерной матрице до встречи с дефектом или другим экситоном. Дефектами в полимерах могут быть нарушения химической структуры молекулы, несовершенства кристаллической структуры, сшивки и другие отклонения от идеальной структуры. При взаимодействии с дефектом экситона образуется электронно-дырочная пара; один из носителей локализуется, а второй перемещается под действием электрического поля. Передвижение электрона или дырки происходит при своеобразном сочетании механизмов движения электронов согласно зонной теории и прыжкового механизма, аналогичного таковому для ионов. [27]

Некоторые свойства сульфидов и окислов. [28]

Фотопроводимость InSb охватывает широкую область, лежащую в инфракрасной части спектра, доходя до 8 мк. Максимум фотопроводимости соответствует длине волны 6 7 мк. [29]

Фотопроводимость материала зависит от количества и качества примесей, а для сильно поглощаемого света и от состояния поверхности. [30]

Страницы: 1 2 3 4