Фототека

Cтраница 1

Связь между фотопроводимостью (. и поглощенной энергией ( 2 в закиси меди. Зависимость коэффициента поглощения Си2О от длины волны ( 3. [1]

Фототеки, наблюдаемые в направлении освещения, создают фотоэлектродвижущие силы, достигающие 0.2 в. Фотомагнитный эффект Кикоина и Носкова привлекается в настоящее время к изучению системы энергетических уровней полупроводников. [2]

Индуктивный однокатушечный датчик Для измерения расстояния 8, от поверхности детали / до поверхности листа 2 обшивки ( о. При изменении расстояния 8, между стальным сердечником 4 датчика и стальным контрольным стержнем 3, специально заделанным в неметаллическую деталь /, изменяется индуктивное сопротивление катушки 5, регистрируемое микроампермет -. ром 6 (, б. Тарировка датчика производится по эталону. Шкала микроамперметра может быть от i раду про вала для определения величины зазора между деталью и обшивкой.| Индуктивный датчик для контроля размеров деталей 1, 2, 3 и 4-го классов точности, а также для контроля размеров деталей при их обработке на станках.| Индуктивный датчик. Измерительный стержень 3 в процессе измерения перемещается но вертикали с закрепленными на нем дисками 4, при этом соответственно меняются индуктивности катушек 2, что ведет к дебалансу моста схемы. Корпус / служит экраном.| Индуктивный датчик для измерения перемещений порядка до 2 - 3 мм. При перемещении в процессе измерения стержня-3 с закрепленными на нем катушками 2 относительно кольцевых выступов в отверстии корпуса 1 изменяется индуктивное сопротивление катушек, что приводит к изменению тока в измерительной цепи мостовой схемы, регистрируемого прибором. [3]

Фототеки фотоумножителей на выходе имеют форму импульсов рентгеновского излучения и направлены навстречу друг другу. Обмотка 12 включена в сеть последовательно с конденсатором. В зависимости от знака амплитуды сигнала меняется амплитуда тока в обмотке, двигатель вращается и приводит в движение клин 4 до момента, пока разность потенциалов на выходе схемы не будет равна нулю. [4]

Идеальная фотоВАХ мишени. / - верхний предел фототока. определяемый подлетными свойствами электронного луча. 2 - нижний предел - темновой ток мишени. 3 - фототок ( на каждом из трех участков кривой процесс переноса носителей различным образом зависит от поля. штриховые кривые - ВАХ при пониженной температуре. [5]

Фототек ограничен пробегом носителей ( произведением цт), он определяется глубокими состояниями. Если пробег носителей достаточно велик, то эта область не возникает. [6]

Принципиальная схема микрофотометра. [7]

Фототек измеряется чувствительным гальванометром. Отсчеты по шкале гальванометра пропорциональны количеству света, освещающего катод фотоэлемента. [8]

Оптико-кинематическая схема СП-101.| Общий вид спектрометра СП-101. [9]

Фототек, соответствующий падающему световому потоку, усиливается резонансным усилителем и записывается электронным потенциометром ЭПП-09. При параллельных пластинках К и М между интерферирующими пучками отсутствует разность хода. [10]

Фототек с элемента изображения, освещенность которого равна средней освещенности фотокатода для рассматриваемой сцены, / Ф / л где / ф - среднее значение фототока со всей площади 5ф фотокатода, nkZ2 - число элементов разложения. [11]

Энергии активации проводимости и т. - э.д.с. в стеклах As40Se60.| Зависимость т. - э.д.с. стекол CdGexAs2 от д.с. мкВ / К. [12]

Фототек при малых интенсивностях излучения растет линейно с интенсивностью. [13]

Фототек ф в широких пределах освещенности линейно зависит от светового потока Ф, падающего на светочувствительную площадку фотодиода. [14]

Фототек, проходя через резистор нагрузки, создает на нем падение напряжения t / BbIX, которое и является усиленным входным сигналом. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5