Cтраница 3
Фототек 1, проходя по сопротивлению R, создает на нем падение напряжения U IR, которое действует навстречу батарее смещения, уменьшая отрицательный потенциал на сетке лампы. [31]
![]() |
Принципиальная оптическая схема спектрофотометров СФ-4, СФ-5, СФ-4А, СФ-16. [32] |
Фототек, возникающий в фотоэлементе, передается на усилитель постоянного тока. [33]
Фототек, создаваемый фотоэлементами, может непосредственно служить мерой температуры измеряемого тела. Такие конструктивно несложные приборы не отличаются высокой точностью. Более совершенны приборы, у которых фотоэлемент используется в нулевом режиме как устройство для сравнения двух источников излучения: измеряемого тела и регулируемого источника света. [34]
Фототек, пропорциональный падающей на него световой энергии вызывает на входном сопротивлении электронного усилителя ( величиной порядка 2 109 ом) соответствующее падение напряжения. [35]
Фототек - ток, протекающий через фоторезистор при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением. [36]
![]() |
Принципиальная оптическая схема спектрофотометра. [37] |
Фототек, возникающий в фотоэлементе под влиянием суммарного светового потока, передается через усилитель на кинематическую систему прибора и значение оптической плотности ( пропускания) автоматически фиксируется на специальном бланке. [38]
![]() |
Оптическая схема фотоэлектрического компаратора цвета ЭКЦ-1. [39] |
Фототек от фотоумножителя 15, пройдя через логарифматор 16, усилитель 17, фазочувстви-тельный детектор 18 и генератор опорного напряжения 20, поступает в измерительный прибор 19 - высокочувствительный гальванометр. [40]
Фототек регистрируется с помощью магнитоэлектрического измерителя гй. [41]
Фототек усиливается, если к фотокатоду приложено сильное внешнее электрическое поле, вновь ускоряющее электроны, которые были замедлены контактным полем поверхности. Наложение внешнего поля на контактное поле снижает высоту энергетического барьера и, уменьшая его ширину, делает его частично прозрачным для электронов, энергия которых меньше высоты барьера. Как легко понять, влияние внешнего поля особенно велико вблизи красной границы фотоэффекта, где имеется большое число электронов с энергиями, близкими, но недостаточными для преодоления барьера, пока он не изменен внешним полем. [42]
Фототек измеряется чувствительным гальванометром. Отсчеты по шкале гальванометра пропорциональны количеству света, освещающего фотоэлектриче ский детектор. [43]
![]() |
S. Принципиальная схема микрофотометра. [44] |
Фототек измеряется чувствительным гальванометром. Отсчеты по шкале гальванометра пропорциональны количеству света, освещающего фотоэлектрический детектор. [45]