Cтраница 2
Фототек, полученный от вакуумных фотоэлементов, мал и его приходится усиливать. [16]
Фототек, пропорциональный падающей на него световой энергии вызывает на входном сопротивлении электронного усилителя ( величиной порядка 2109 ом) соответствующее падение напряжения. [17]
![]() |
Схема оптического клина.| Оптическая схема фотоэлектрического колориметра с одним фотоэлементом. [18] |
Фототек селенового ( фотоэлемента измеряется чувствительным гальванометром, включенным в цепь через ключ-прерыватель. [19]
Фототек, возникающий в цепи фотоэлемента при освещении поверхности вольфрама светом длиной волны А 2537 А, прекращается при включении задерживающей разности потенциалов Ul в. [20]
Фототек, возникающий в фотоэлементе, передается на усилитель постоянного тока. [21]
Фототек, получаемый при освещении катода неразложенным светом, называется интегральным фотоэффектом данного катода при освещении его данным источником света. Иногда вместо того чтобы указывать силу или плотность фототока, приходящихся на 1 вт мощности излучения, падающего на катод, интенсивность фотоэффекта характеризуют количеством электрического заряда, выходящего из поверхности катода при поглощении ею количества энергии радиации, равного единице. Таким образом, интенсивность фотоэффекта выражают, например, в кулонах на одну калорию. [22]
![]() |
Схема фотореле на постоянном токе.| Фотореле на переменном токе. [23] |
Фототек /, протекая по сопротивлению R, создает на нем падение напряжения IR, которое действует навстречу сеточной батарее. Вследствие этого напряжение на сетке увеличивается. [24]
Фототек i зависит от интенсивности светового потока на входе в колориметрическую трубку. [25]
![]() |
Фотоэлектрический пирометр типа ФЭП. 14. [26] |
Фототек, создаваемый фотоэлементами, может непосредственно служить мерой температуры измеряемого тела. Такие конструктивно несложные приборы не отличаются высокой точностью. [27]
Фототек должен прекратиться лишь при такой обратной разности потенциалов, приложенной извне, которая даст градиент потенциала в активном слое, достаточный для того, чтобы все фотоэлектроны, вылетевшие с границы раздела с толщей, затормозились уже на первой длине своего свободного пути. Это происходит, когда на первой же длине свободного пути наиболее быстрых фотоэлектронов появится падение напряжения обратного направления, не меньшее 3.4 в для наших условий освещения. [28]
Фототек прямо пропорционален концентрациям неравновесных носителей, генерируемых в единицу времени в области размером L Lp Ln, где L - толщина перехода; Lp и Ln - диффузионная длина неосновных носителей. Эти концентрации прямо пропорциональны значению монохроматического светового потока. Поэтому световой поток и фо-тоток связаны между собой линейной зависимостью. [29]
![]() |
Принципиальная схема фотореле с исполнительными устройствами. [30] |