Фототравление

Cтраница 4

При конструировании платы, на которой должны монтироваться готовые основания, необходимо осуществить все межсоединения между основаниями и обеспечить нормальный тепловой режим работы компонентов. Изготовление платы из ситал-ла нецелесообразно вследствие того, что потребуется пластина довольно большого размера, которая из-за своей хрупкости будет недостаточно технологичной, а плата, изготовленная фототравлением фольгированного диэлектрика, не обеспечит нормальный тепловой режим вследствие низкой теплопроводности. [46]

Полиимидная пленка, как диэлектрическая основа многослойных коммутационных плат, обладает наиболее полным комплексом свойств, необходимых таким материалам. Наряду с высокой прочностью на растяжение, хорошими изоляционными свойствами, высокой химической стойкостью, несгораемостью полиимиду присущ ряд свойств, которые делают его незаменимым в технологических процессах, связанных с вакуумным осаждением пленок и фототравлением. Это прежде всего наиболее высокая среди полимеров температурная устойчивость ( не теряет гибкость при температурах жидкого азота и в то же время выдерживает температуры эвтектической пайки кремния с золотом 670 К), отсутствие существенных газовыделений в вакууме до температур 470 - 500 К, высокая радиационная устойчивость и способность к равномерному травлению в сильных щелочных средах. [47]

Требования к геометрической точности и шероховатости поверхности указаны на рис. 10.1, а. Высокие требования к шероховатости поверхности обусловлены: необходимостью обеспечить однородность и воспроизводимость электрических параметров пленочных схемных элементов микросхемы, чувствительных даже к единичному незначительному дефекту на поверхности; необходимостью создать возможность последующего использования процессов вакуумного осаждения и фототравления для формирования схемных элементов. [48]

Изготовление МОП-структур, как можно понять из вышеизложенного, является достаточно сложным процессом. Соединения фтора применяются при фототравлении, которое чаще всего встречается в этом процессе, т.е. именно фототравление играет наиболее важную роль при микроминиатюризации. Процесс фототравления состоит, как показано на рис. 3.93, из следующих стадий. [49]

Внешний вид магниторезистора и зависимости его магниторезис-тивного отношения от фиф. [50]

Магниторезистивные преобразовательные элементы из эвтектического сплава могут изготовляться в виде прямоугольников, колец или, с целью увеличения сопротивления, в виде меандра. Процесс их изготовления заключается в следующем. Методом фототравления материалу придается необходимая форма, после чего наносят контакты и проверяют параметры магниторезистора. [51]

К недостаткам полиимидных пленок можно отнести повышенное водопоглощение и относительно высокую стоимость их производства, которая, однако, не столь существенна для изделий МЭА ввиду малой массы потребляемого материала. На рис. 3.1 представлена структурная схема технологического процесса изготовления двухуровневой коммутационной платы на основе полиимидной пленки. Сначала с помощью двустороннего фототравления за один цикл формируются отверстия диаметром 20 - 30 мкм на пленке толщиной 25 мкм и диаметром 50 - 70 мкм на пленке толщиной 50 мкм; число отверстий может достигать и нескольких десятков тысяч - на площади 100 X 100 и 150 X X 150 мм. [52]

Превращение самой окисной пленки в маску для травления происходит в основном за одну операцию, поэтому данная технология пригодна для массового производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. При изготовлении сложных приборов иногда приходится несколько раз выращивать и стравливать окисные слои. В каждом же цикле фототравления в настоящее время необходимо наносить фоторезист, экспонировать его, проявлять и после вытравливания окон очищать кремниевую пластинку от резиста. [53]

Все шаблоны и применяющиеся в гибридной технологии приспособления, заготовленные для напыления вентиля, межэлементной изоляции и верхнего свинцового слоя ( слоев) вместе с самим испарителем должны помещаться в откачиваемый объем. Это предохраняет оловянные поверхности вентиля от окисления. В случае, если вентили получаются фототравлением, поверхностный окисел, образующийся на воздухе в течение этого процесса, должен быть каким-либо образом снят перед напылением свинца. Водород напускается в испарительную камеру при давлении около 10 - 3 мм рт. ст. При попадании на вольфрамовую нить, нагретую до 1800 С, молекулы водорода диссоциируют. После пятиминутного воздействия атомарного водорода на поверхность вентиля система откачивается и напыляется свинцовая пленка. Через полученный таким образом переход Pb-Sn может протекать весь сверхпроводящий ток. Загрязнение перехода окисью вольфрама не создает дополнительных трудностей. [54]

Важным преимуществом фольгового тензорезистора является также лучшая восприимчивость деформации объекта вследствие большего отношения периметра сечения плоской чувствительной тензо-метрической полосы к площади ее сечения по сравнению с проволочными тензорезисторами. Это позволяет обеспечить большую точность измерения деформации. В настоящее время подавляющее большинство фольговых тензорезисторов изготавливается из кон-стантановой фольги толщиной 5, 10, 12, 15 мкм и выше методом фототравления. [55]

Страницы: 1 2 3 4