Полупроводниковый фотоэлемент
Cтраница 1
Полупроводниковые фотоэлементы обладают большой чувствительностью к освещенности. На рис. 12, б представлена принципиальная схема фотоэлектрического датчика с фотосопротивлением ФС. Сопротивление ФС при затемненном состоянии составляет от десятков килоом до десятков мегом. При освещенности сопротивление резко уменьшается: относительное изменение сопротивления может составлять 99 % и ток, проходящий через ФС, увеличивается. Величина тока достаточна для срабатывания электромагнитного реле Р без дополнительного его усиления. [1]
Полупроводниковые фотоэлементы можно подразделить еще на две группы: фотодиоды и фототриоды, в которых электроны приобретают энергию, достаточную для преодоления р-п-перехода, и фоторезисторы, в которых электроны после освобождения переходят в зону проводимости и могут быть зарегистрированы как обычный электрический ток при приложении к полупроводнику некоторой разности потенциалов. Фоторезисторы изготовляют из сернистого кадмия, селенида кадмия, сернистого свинца, сурмяни-стого индия и целого ряда других двойных соединений с металлами. Лишь CdS и CdSe обычно используются в фотометрии, да и то лишь в таких приборах, где допустимы невысокие значения точности и воспроизводимости измерений. Рассматриваемые фотоэлементы заметным образом изменяют свою чувствительность с изменением температуры, и, кроме того, их чувствительность может зависеть от предыстории изменения освещения и протекавшего тока. При низких уровнях освещенности, с которыми приходится иметь дело при фотометрировании отображаемой информации, полупроводниковые фотоэлементы до сих пор не нашли практического применения, если, конечно, исключить их применение для определения выдержки при фотографировании с экранов электронно-лучевых трубок. Полупроводниковые фотоэлементы обычно включаются в качестве переменных резисторов последовательно или по мостовой схеме. [2]
 |
Разделение неравновесных носителей заряда на потенциальном барьере р-п-перехо-да при поглощении квантов света. [3] |
Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую. [4]
 |
Спектральные характеристики фотоэлементов.| Частотная характеристика фотоэлементов. [5] |
Полупроводниковые фотоэлементы могут использоваться в качестве источников электрической энергии, а также в качестве фотоприемников. [6]
Полупроводниковые фотоэлементы способны преобразовывать энергию солнца в электричество. [7]
Полупроводниковые фотоэлементы изготовляют на базе селена, кремния и некоторых других полупроводников. Кремниевые фотоэлементы отдают мощность до 100 Вт с 1 м2 поверхности при напряжении 0 3 В на элемент. Из них собирают так называемые солнечные фотобатареи, которые позволяют получать требуемую мощность при напряжении порядка сотен вольт и более. [8]
Полупроводниковые фотоэлементы определяют освещенность как на поверхности, так и внутри травостоя или в лесу. [9]
 |
Энергетическая диаграмма гетероперехода. при обратном напряжении и при освещении его кван - тами света с различной энергией ( hv hv. [10] |
Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую. [11]
Полупроводниковые фотоэлементы с внутренним фотоэффектом, или фотосопротивления, обладают значительно большей чувствительностью, чем описанные выше фотоэлементы, в которых используется внешний фотоэффект. Например, чувствительность фотосопротивления сульфида кадмия может достигать 1 А / лм. Фотосопротивления широко применяются для обнаружения и измерения инфракрасного и других излучений. Основной недостаток фотосопротивлений заключается в их большой инерционности, которая возрастает с увеличением чувствительности. [12]
Полупроводниковые фотоэлементы с внутренним фотоэффектом, или фотосопротивления, обладают значительно большей чувствительностью, чем описанные выше фотоэлементы, в которых используется внешний фотоэффект. Например, чувствительность фото-сопротивления сульфида кадмия может достигать 1 А / лм. Фотосопротивления широко применяются для обнаружения и измерения инфракрасного и других излучений. Основной недостаток фотосопротивлений заключается в их большой инерционности, которая возрастает с увеличением чувствительности. [13]
Полупроводниковые фотоэлементы широко используются на искусственных спутниках Зе &-ли, межпланетных автоматических станциях и орбитальных станциях и качестье энергетических установок, с помощью которых энергия солнечного излучения преобразуется в электрическую энергию. [14]
Полупроводниковые фотоэлементы все шире применяются в быту. Они используются в качестве невозобновляемых источников тока в часах, микрокалькуляторах; проходят испытания первые солнечные электромобили. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5