Полупроводниковый фотоэлемент

Cтраница 3

Включение триода п-р - п и его условное обозначение.| Принцип устройства полупровод - стинки технологически никового фотоэлемента. обрабатывают так, ЧТО. [31]

В полупроводниковом фотоэлементе лучистая ( световая) энергия непосредственно преобразуется в электрическую. На рис. 1 - 42 схематически показано устройство полупроводникового фотоэлемента. Он представляет собой кремниевую пластинку круглой или прямоугольной формы толщиной 0 7 - 1 мм. [32]

При действии света на полупроводниковый фотоэлемент в цепи. [33]

Пока же полупроводниковые фотоэлементы применяются в основном для измерения интенсивности света; а также для целей автоматики, сигнализации и телеуправления. Делаются также попытки применения их в звуковом кино. [34]

При действии света на полупроводниковый фотоэлемент в цепи возникает ток. а Изображение опыта, б Схема его. S - источник света. Ф - фотоэлемент. G - гальванометр. [35]

Пока же полупроводниковые фотоэлементы применяются в основном для измерения интенсивности света, а также для целей автоматики, сигнализации и телеуправления. Делаются также попытки применения их в звуковом кино. [36]

Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения. [37]

Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды подробно рассмотрены в последующих главах. [38]

Где применяют полупроводниковые фотоэлементы. [39]

Фотодиодом называется полупроводниковый фотоэлемент с двумя электродами, разделенными р-п-пере-ходом. [40]

При действии света на полупроводниковый фотоэлемент в цепи возникает ток. а Изображение опыта, б Схема его. S - источник света. Ф - фотоэлемент. G - гальванометр. [41]

Пока же полупроводниковые фотоэлементы применяются в основном для измерения интенсивности света, а также для целей автоматики, сигнализации и теле - - управления. Делаются также попытки применения их в звуковом кино. [42]

Фотогальваническими элементами называют полупроводниковые фотоэлементы с одним или несколькими электронно-дырочными переходами. [43]

Большой интерес представляют полупроводниковые фотоэлементы как датчики электромагнитного излучения в разных частях спектра. [44]

Такие фотодиоды называют полупроводниковыми фотоэлементами. Если на фотодиод падает свет, то вследствие внутреннего фотоэффекта в обеих областях фотодиода генерируются пары носителей заряда. Неосновные носители заряда, для которых поле p - n - перехода является ускоряющим, могут легко преодолеть p - n - переход и попасть в смежную область ( дырки п-области - в область р, а электроны р-области - в область п) и тем самым внести свой вклад в общий ток неосновных носителей заряда фотодиода. Ток неосновных носителей, вызванный освещением, не зависит от напряжения, приложенного к р-п-переходу, он пропорционален световому потоку и называется световым током или фототоком. При этом следует отметить, что одновременно с процессом генерации пар носителей заряда происходит и их рекомбинация. Кроме того, интенсивность света уменьшается по глубине облучаемого тела, поэтому генерация пар носителей происходит в основном на внешней облучаемой поверхности. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5