Полупроводниковый фотоэлемент

Cтраница 2

Относительная спектральная чувствительность вакуумных фотоэлементов с катодами из различных материалов ( V - катод, чувствительный к красному свету.| Схема фотоэлектронного умножителя ( ФЭУ.. - фотокатод. 2-сетчатые диноды. 3 - анод. [16]

Полупроводниковые фотоэлементы также имеют запорный слой, однако для работы они не требуют внешнего источника тока. Образующиеся в запорном слое при освещении электроны и дырки перемещаются в / г-проводник и / - проводник соответственно; таким образом, возникает фототок, который можно измерить амперметром. [17]

Полупроводниковый фотоэлемент может представлять собой монокристалл, например CdS, в который вмонтирован проводник в виде тонкой проволоки ( фиг. [18]

Полупроводниковые фотоэлементы характеризуются не строгой линейностью зависимости величины электрического сигнала от освещения. Этот недостаток, равно как и непостоянство чувствительности фотоэлемента, нестабильность его питания, а также дрейф усиления измерительной схемы, устраняется применением двухлучевой системы, в которой измеряется не абсолютное значение интенсивности света, прошедшего через поглощающее вещество, а ее отношение к интенсивности света просвечивающего источника. [19]

Вольт-амперные характеристики фотодиода для фотодиодного режима.| Энергетические характеристики фотодиода [ IMAGE ] - 6. Принцип устройства планарного фотодиода. [20]

Полупроводниковые фотоэлементы, иначе называемые вентильными или фотогальваническими, служат для преобразования энергии излучения в электрическую энергию. По существу они представляют собой фотодиоды, работающие без источника внешнего напряжения и создающие собственную ЭДС под действием излучения. [21]

Полупроводниковые фотоэлементы с внутренним фотоэффектом, или фотосопротивления, обладают значительно большей чувствительностью, чем описанные выше фотоэлементы, в которых используется внешний фотоэффект. Например, чувствительность фотосо-противления из сульфида кадмия может достигать 1 а / лм. [23]

Полупроводниковые фотоэлементы ооладают рядом преимуществ по сравнении с другими дотаэлектрическами приборами. Некоторые лз них имеют большую чувствительность в инфракрасной части спектра, что позволяет работать с низкотемпературными источниками излучениями. Все фотосопротивления имеют большую интегральную чувствительность и относительно малые размеры. [24]

Полупроводниковые фотоэлементы обладают рядом преимуществ по сравнению с другими фотоэлектрическими приборами. [25]

Спектральные характеристики фотоэлементов.| Частотная характеристика фотоэлементов. [26]

Полупроводниковые фотоэлементы могут использоваться в качестве источников электрической энергии, а также в качестве фотоприемников. [27]

Кремниевые и другие полупроводниковые фотоэлементы применяются в солнечных и ядерных преобразователях и в электроизмерительных приборах. Фотогальванические приемники обладают значительной инерционностью вследствие большой собственной емкости, образованной активным полупроводниковым слоем и электродами. [28]

Недостатком полупроводниковых фотоэлементов является их заметная инерционность: изменение фототока запаздывает относительно изменения освещенности фотоэлемента. [29]

Недостатком полупроводниковых фотоэлементов является их заметная инерционность: изменение фототока запаздывает относительно изменения освещенности фотоэлемента. Поэтому полупроводниковые фото - ммимшмшш элементы не пригодны для регистрации быстропеременных световых потоков. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5