Фотоэмиссия - электрон
Cтраница 1
Фотоэмиссия электронов достигается при облучении фотокатода световым монохроматическим пучком от ртутной лампы. [1]
Фотоэмиссия электронов с металлической поверхности в вакууме характеризуется пороговой длиной волны, так что свет с большей длиной волны не вызывает эмиссии. [2]
Фотоэмиссия электронов из молекул [ процесс ( 1) ] позволяет получать значения энергий ионизации, параллельно которым изменяются электронодонорные свойства молекул, а эта информация имеет первостепенную значимость для понимания межмолекулярных реакций переноса электрона. [3]
При фотоэмиссии электронов из металла в раствор вблизи электрода происходит ряд различных процессов, связанных с превращением сольватированных электронов. Среди них большой интерес представляют гомогенные и гетерогенные реакции с участием свободных радикалов. Кинетика этих реакций сказывается на величине измеряемого фототока, что позволяет рассматривать фотоэмиссию как удобный метод количественного изучения таких процессов. [4]
Эксперименты по фотоэмиссии электронов в вакуум при час-готах облучения, близких к пороговой ( так что ( со - оэ0) / со01 [ 1), хорошо подтверждают теорию Фаулера, согласно которой, начиная с энергий порядка нескольких кТ выше порога, имеет место соотношение / со ( со - о) 2 - В настоящее время эту теорию для описания фотоэмиссии в вакуум в припороговой области частот можно считать общепринятой [1-4], хотя уже давно стало ясно, что в основе ее лежит ряд недостаточно обоснованных предположений. [5]
Если порог фотоэмиссии электронов в вакууме точно определен ( раздел II, 4), то порог внутреннего фотоэффекта определить оказалось трудно, так как он связан с чистотой кристаллов; влияет также и то, образуется ли заряд в объеме кристалла или только на его поверхности. В хроматографически чистых кристаллах антрацена по ряду причин [83] можно считать порогом внутреннего фотоэффекта приблизительно 1 4 эв. Однако энергия этого порога слишком низка ( ниже на 0 5 эв), для того чтобы ее можно было просто объяснить [82, 83, 85] ( см. раздел I, 2) v даже если считать, что возникший электрон не может свободно двигаться по орбиталям кристалла, на которых он постоянно связан с молекулой антрацена с энергией связи, равной сродству этой молекулы к электрону. Хотя теоретически порог для свободных зарядов равен приблизительно 3 9зв, а для электронов, связанных наиболее прочно - около 1 9 эв, экспериментально было обнаружено появление зарядов при освещении веществ светом видимой и даже близкой инфракрасной области; это может быть отчасти обусловлено ионизацией примесей или ионизацией, вызываемой примесями на поверхности или в объеме кристалла. [6]
Из приведенного материала видно, что фотоэмиссия электронов из растворов позволяет, в принципе, получить важные сведения об энергетических характеристиках электронов в полярных жидкостях. Особенно перспективным может оказаться сочетание этого метода с методами фотоэмиссии электронов из металла в раствор и фотоионизации сольватированных электронов ( или других эмиттеров) в растворе. В то же время количественная трактовка многих вопросов, связанных с фотоэлектронной эмиссией из растворов, нуждается в дальнейшем уточнении и развитии. [7]
Рассмотрим с использованием полученных выше соотношений фотоэмиссию электронов из металла в диэлектрик - твердый или жидкий. В этом случае в области х 8 электрон находится в поле так называемых сил изображения, обусловленных зарядом на поверхности металла, наводимым самим удаляемым электроном. Здесь ае - е2 / 4е, где е - диэлектрическая проницаемость среды, в которую происходит эмиссия; при 81 получаем потенциал, отвечающий фотоэмиссии в вакуум. [8]
Рассмотрено влияние строения двойного слоя на закономерности фотоэмиссии электронов с поверхности металлического электрода в раствор. Выяснена зависимость фототока от ф - потенциала и других параметров, характеризующих двойной слой, на основании чего предложен метод определения указанных параметров по отклонению вольтамперной характеристики электрода ( или зависимости фототока от частоты света) от известного закона пяти вторых. [9]
Полученные значения 1 для окрашенных слоев полупроводников обязаны фотоэмиссии электронов из адсорбированных молекул данных красителей, а не из самих полупроводников, как-то измененных этой адсорбцией. Это подтверждается следующими фактами. [10]
При адсорбции молекул на поверхности металлов может быть ситуация, когда фотоэмиссия электронов из какого-нибудь связывающего уровня будет иметь максимальную интенсивность вдоль оси молекулы. Так, для широко исследованной системы Ni ( 100) - C0 было найдено, что одна из орбиталей молекулы СО ( а именно 4сг) имеет ярко выраженную направленность вдоль оси СО и эмиссия из нее максимальна вдоль нормали к поверхности подложки Ni. [11]
 |
Спектр фототока эмиссии ( после введения поправки на рассеяние электронов в газе для 0 114 М раствора натрия в гексаметилфосфортриамиде. [12] |
Необходимые данные относительно рассеяния электронов в газе можно получить на основании изучения фотоэмиссии электронов из металла в газовую фазу. [13]
Реакции сольватированного электрона, генерируемого либв при высоких катодных потенциалах, либо фотоэмиссией электронов с катода, описанные в ряде работ [16, 17], в последнее время прочно входят в электрохимическую практику. Благодаря облегчению первой замедленной стадии, открывается возможность наблюдать последующие быстрые стадии, ускользающие от изучения при традиционном подходе. Этот метод позволяет также с использованием электрохимической техники восстанавливать электрохимически неактивные и малоактивные соединения, расширяя сферу электросинтеза. [14]
Начнем с анализа поведения / в окрестности пороговой частоты со0, когда энергетически возможна фотоэмиссия электронов, первоначально находившихся вблизи потолка валентной зоны. Величина ж-компоненты импульса этих исходных электронов pix близка к нулю, и, во всяком случае, существенно меньше при х О величины j / 2mex, где те - эффективная масса электрона в зоне проводимости. [15]
Страницы: 1 2 3 4