Вентильный фотоэффект
Cтраница 1
Вентильный фотоэффект в активном слое кристаллов карборунда обладает целым рядом особенностей по сравнению с тем же явлением у других полупроводников. Необходимо поэтому прежде всего напомнить некоторые полученные ранее данные об активном слое. [1]
 |
Схема включения фотоэлемента с внешним фотоэффектом в электрическую цепь. [2] |
Вентильный фотоэффект, заключающийся в том, что между слоями освещаемого проводника и неосвещаемого полупроводника, разделенных тонким изоляционным слоем, возникает электродвижущая сила, величина которой зависит от освещенности. [3]
 |
Устройство вентильного фотоэлемента. [4] |
Вентильный фотоэффект возникает при падении света на границу раздела полупроводника и металла. [5]
Вентильный фотоэффект состоит в том, что световая энергия, падающая на p - n - переход, приводит к возникновению фотоэлектродвижущей силы на этом переходе. [6]
 |
Схема включения фотоэлемента с внешним фотоэффектом в электрическую цепь. [7] |
Вентильный фотоэффект, заключающийся в том, что между слоями освещаемого проводника и неосвещаемого полупроводника, разделенных тонким изоляционным слоем, возникает электродвижущая сила, величина которой зависит от освещенности. [8]
 |
Фотоэлемент с внешним фотоэффектом. [9] |
Вентильный фотоэффект, в результате которого возникает разность потенциалов между слоями двух веществ с различной природой электропроводности. [10]
Вентильный фотоэффект возникает при следующих обстоятельствах. На одну из поверхностей контактирующих друг с другом р - и - полупроводников направляется световой поток. Поглощенный в толще полупроводника свет освобождает в нем одновременно электроны и дырки, образуя пары электрон - дырка. Освобождение пар сводится к тому, что электроны из заполненной зоны перебрасываются в свободную зону, становясь, таким образом, электронами проводимости, а дырки остаются в заполненной зоне и также получают возможность участвовать в электропроводности. [11]
Вентильный фотоэффект особенно активно протекает в полупроводниковых системах с большой диффузионной длиной неосновных носителей тока и соответственно большим временем их жизни. Это утверждение станет ясным, если мы несколько слов посвятим уточнению понятия диффузионная длина неосновных носителей тока. Это тем более необходимо, что в процессе образования вентильной фотоэлектродвижущей силы диффузия неосновных носителей имеет весьма важное значение. [12]
 |
Один из первых вариантов солнечной батареи, составленной из небольших по размерам кремниевых фотоэлементов прямоугольной формы. [13] |
Вентильный фотоэффект, обнаруживающийся в полупроводниковых системах, - явление сложное. [14]
Сущность вентильного фотоэффекта заключается в следующем. Как показали исследования, вероятность вырывания электронов из полупроводников больше, чем из металлов, в особенности таких, как золото и платина. Поэтому, если имеется какой-либо полупроводник, например закись меди, с нанесенной на его поверхность достаточно прозрачной тончайшей пленкой золота, то при прохождении света через эту пленку и освещении слоя закиси меди из последней будут вырываться электроны. [15]
Страницы: 1 2 3 4