Cтраница 2
![]() |
Изменение относительной силы фотЪтока со временем. [16] |
Сущность вентильного фотоэффекта заключается в следующем. [17]
При внутреннем и вентильном фотоэффекте число освобожденных светом электронов непосредственно определено быть не может и о нем можно судить только по величине тока, протекающего во внешней цепи, который может существенно зависеть от режима работы. Поэтому, например, в случае фотосопротивлений при достаточно высоких приложенных напряжениях квантовый выход может оказаться больше единицы, а в случае вентильных фотоэлементов увеличение сопротивления внешней цепи приведет к уменьшению тока и создаст кажущееся уменьшение квантового выхода. [18]
Красная граница вентильного фотоэффекта определяется величиной Wa энергетического зазора между валентной зоной и зоной проводимости полупроводника. [19]
![]() |
Температурная за-ьисимое 1 ь. д.с. фотоэлемента. [20] |
Фотоэлемент с вентильным фотоэффектом представляет собой полупроводниковый диод, конструктивно оформленный так, что световой поток может проникать в область р - - перехода. [21]
Что характерно для внешнего, внутреннего и вентильного фотоэффекта. [22]
Особый практический интерес представляет вентильный фотоэффект ( фотогальванический эффект), который возникает при освещении контакта полупроводников с р - и - проводимостью. Сущность этого явления заключается в следующем: при контакте полупроводников р - и n - типа создается контактная разность потенциалов, которая препятствует дальнейшему переходу основных носителей через контакт: дырок в л-область и электронов в р-область. [23]
Особый практический интерес представляет вентильный фотоэффект ( фотоэффект в запирающем слое), состоящий в возникновении электродвижущей силы вследствие внутреннего фотоэффекта вблизи поверхности контакта между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками р - и n - типа, обладающего односторонней проводимостью. [24]
Фотоэлементы, работающие на принципе вентильного фотоэффекта, интересны тем, что они могут работать без источника питания, так как под действием света вентильные фотоэлементы сами являются источниками тока. [26]
Фотоэлементы, работающие на принципе вентильного фотоэффекта, интересны тем, что могут работать без источника питания, так как под действием света вентильные фотоэлементы сами превращаются в источники тока. [27]
Фотоэлементы, работающие на принципе вентильного фотоэффекта, интересны тем, что они могут работать без источника питания, так как под действием света вентильные фотоэлементы сами являются источниками тока. [29]
Дальнейшие и достаточно обстоятельные исследования вентильного фотоэффекта показали, что он особенно ярко проявляется в системах, состоящих из контактирующих друг с другом электронного и дырочного полупроводников, при этом работа выхода электронов из дырочного полупроводника должна быть больше работы выхода из электронного. В этом случае, как было показано выше, образуется р-п-переход. [30]