Вентильный фотоэффект - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Пока твой друг восторженно держит тебя за обе руки, ты в безопасности, потому что в этот момент тебе видны обе его. Законы Мерфи (еще...)

Вентильный фотоэффект

Cтраница 2


16 Изменение относительной силы фотЪтока со временем. [16]

Сущность вентильного фотоэффекта заключается в следующем.  [17]

При внутреннем и вентильном фотоэффекте число освобожденных светом электронов непосредственно определено быть не может и о нем можно судить только по величине тока, протекающего во внешней цепи, который может существенно зависеть от режима работы. Поэтому, например, в случае фотосопротивлений при достаточно высоких приложенных напряжениях квантовый выход может оказаться больше единицы, а в случае вентильных фотоэлементов увеличение сопротивления внешней цепи приведет к уменьшению тока и создаст кажущееся уменьшение квантового выхода.  [18]

Красная граница вентильного фотоэффекта определяется величиной Wa энергетического зазора между валентной зоной и зоной проводимости полупроводника.  [19]

20 Температурная за-ьисимое 1 ь. д.с. фотоэлемента. [20]

Фотоэлемент с вентильным фотоэффектом представляет собой полупроводниковый диод, конструктивно оформленный так, что световой поток может проникать в область р - - перехода.  [21]

Что характерно для внешнего, внутреннего и вентильного фотоэффекта.  [22]

Особый практический интерес представляет вентильный фотоэффект ( фотогальванический эффект), который возникает при освещении контакта полупроводников с р - и - проводимостью. Сущность этого явления заключается в следующем: при контакте полупроводников р - и n - типа создается контактная разность потенциалов, которая препятствует дальнейшему переходу основных носителей через контакт: дырок в л-область и электронов в р-область.  [23]

Особый практический интерес представляет вентильный фотоэффект ( фотоэффект в запирающем слое), состоящий в возникновении электродвижущей силы вследствие внутреннего фотоэффекта вблизи поверхности контакта между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками р - и n - типа, обладающего односторонней проводимостью.  [24]

25 Электрическая схема фотореле на постоянном токе.| Схематическое устройство вентильного фотоэлемента с запирающим слоем. / - контактное кольцо. 2 - золотая пленка. 3 - запирающий слой. 4 - полупроводник ( селен. 5 - стальная пластинка. [25]

Фотоэлементы, работающие на принципе вентильного фотоэффекта, интересны тем, что они могут работать без источника питания, так как под действием света вентильные фотоэлементы сами являются источниками тока.  [26]

Фотоэлементы, работающие на принципе вентильного фотоэффекта, интересны тем, что могут работать без источника питания, так как под действием света вентильные фотоэлементы сами превращаются в источники тока.  [27]

28 Электрическая схема фотореле на постоянном токе.| Схематическое устройство вентильного фотоэлемента с запирающим слоем. / - контактов кольцо. 2 - золотая пленка. 3 - запирающий слой. 4 - полупроводник ( селен. 5 - стальная пластинка. [28]

Фотоэлементы, работающие на принципе вентильного фотоэффекта, интересны тем, что они могут работать без источника питания, так как под действием света вентильные фотоэлементы сами являются источниками тока.  [29]

Дальнейшие и достаточно обстоятельные исследования вентильного фотоэффекта показали, что он особенно ярко проявляется в системах, состоящих из контактирующих друг с другом электронного и дырочного полупроводников, при этом работа выхода электронов из дырочного полупроводника должна быть больше работы выхода из электронного. В этом случае, как было показано выше, образуется р-п-переход.  [30]



Страницы:      1    2    3    4