Cтраница 4
Были изучены и объяснены физические процессы в полупроводниках: гальваномагнитные и фотоэлектрические явления, термоэлектричество, выпрямление переменного тока, вентильный фотоэффект. [46]
Различают: 1) внешний фотоэффект, 2) внутренний фотоэффект и 3) фотоэффект в запирающем слое, или вентильный фотоэффект. [47]
В каких фотометрических приборах применяют следующие приемники света: а) глаз человека; б) фотоэлементы с внешним фотоэффектом; в) фотоэлементы с вентильным фотоэффектом; г) термоэлементы. [48]
При освещении границы раздела между полупроводниками с различным типом проводимости возникает электродвижущая сила. Это явление называется вентильным фотоэффектом. [49]
Существенными недостатками фотосопротивлений как чувствительных элементов систем автоматического регулирования является нелинейность их световой характеристики гф / ( Ф), зависимость чувствительности от длины волны воздействующего светового излучения, большая инерционность, а также значительная температурная погрешность. В фотоэлементах с вентильным фотоэффектом или с запирающим слоем электроны из слоя освещенного вещества переходят в слой неосвещенного, отделенного тонким запирающим ( изоляционным) слоем. При этом между слоями двух веществ возникает разность потенциалов. Величина ЭДС на выходных зажимах фотоэлемента пропорциональна логарифму облученности и уменьшается с увеличением нагрузки. Фотоэлементы этого типа обладают существенной инерционностью, определяемой видом используемого полупроводника. [50]
При освещении границы раздела между полупроводниками с различным типом проводимости возникает электродвижущая сила. Это явление называется вентильным фотоэффектом. [51]
Фотодиод ( ФД) - это германиевый или кремниевый диод, обратный ток р-л-мс-рехода которого зависит от освещенности перехода. Работа его основана на вентильном фотоэффекте. [52]
В ней впервые показано, что фотопроводимость полупроводника строго пропорциональна числу поглощенных фотонов, а форма спектральных кривых и положение максимума фотопроводимости зависят от толщины образца. Объяснена причина различия спектрального распределения фотопроводимости закиси меди и спектрального распределения вентильного фотоэффекта в меднозакисных вентильных фотоэлементах. [53]
Известно, что пороговая чувствительность может быть несколько повышена охлаждением [57], но, как видно из рис. 9, это происходит за счет некоторого уменьшения длинноволнового предела спектральной чувствительности. При температуре, пониженной до 90 К, может, однако, использоваться вентильный фотоэффект р - п сочетания. [54]
При этом дырочный полупроводник заряжается положительно, а электронный - отрицательно, между ними создается разность потенциалов и в замыкающей их внешней цепи возникает электрический ток. Контактная разность потенциалов в р - га-переходе понижается по сравнению с ее значением в отсутствие облучения. Вентильный фотоэффект в р - га-переходе представляет - непосредственное преобразование энергии электромагнитного излучения в энергию электрического тока. [55]
В приемниках светового потока фотоэлектрических датчиков используется фотоэффект. Под фотоэффектом понимают изменение свойств материала при изменении его освещенности. Различают внешний, внутренний и вентильный фотоэффект. Внешний фотоэффект состоит в том, что под влиянием потока излучения электроны вылетают из катода электронной лампы и ток эмиссии зависит от освещенности катода. Внутренний фотоэффект проявляется в том, что активное сопротивление полупроводникового материала зависит от его освещенности. При вентильном фотоэффекте между слоями освещенного проводника и неосвещенного полупроводника, разделенных тонким изоляционным слоем, возникает ЭДС, которая зависит от освещенности. При внешнем фотоэффекте носители тока выходят за пределы материала, при внутреннем - остаются внутри полупроводника. Вентильный фотоэффект, строго говоря, тоже является внутренним фотоэффектом. [56]