Фронт - кристаллизация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Торопить женщину - то же самое, что пытаться ускорить загрузку компьютера. Программа все равно должна выполнить все очевидно необходимые действия и еще многое такое, что всегда остается сокрытым от вашего понимания. Законы Мерфи (еще...)

Фронт - кристаллизация

Cтраница 1


1 Установка для направленной кристаллизации. I -контейнер. 2-мешалка. 3, 4-секции соотв. нагревания и охлаждения.| Схема зонной плавки. I гонгейпер. 2-исходный образец. 3 - расплавленная зона. 4-кристаллич. фаза после очистки. 5-нагреватель. 6 - 7-соотв. границы плавления и кристаллизации. [1]

Фронт кристаллизации при интенсивном перемешивании жидкой фазы постепенно перемещается от одного конца расплавленного образца к другому вследствие принудительного ( обычно с помощью мех. При этом примеси, содержащиеся в в-ве, перераспределяются по длине кристаллизующегося образца.  [2]

3 Влияние скорости выращивания и температуры расплава на диаметр монокристалла и высоту столбика расплава в подкристалъной области при стационарном режиме ( в и режимах вытягивания ( б, в. а - скорость выращивания, температура расплава Гь диаметр монокристалла постоян. [3]

Фронт кристаллизации растущего монокристалла при прочих, равных условиях формируется потоками в расплаве, геометрия которых определяется тепловой и принудительной ( вынужденной, связанной с вращением тигля и кристалла) конвекцией. Эти потоки во многом определяют распределение примесей в выращиваемом монокристалле.  [4]

Фронтом кристаллизации ( или фронтом роста) называют изотермическую поверхность, являющуюся границей фазового перехода расплав - кристалл и перемещающуюся по сплаву, находящемуся в литейной форме, по мере его кристаллизации. Так, например, рост скорости охлаждения v0.01 Ov ( К / с) приводит к измельчению зерен упрочняющей у сп - фазы, эвтектики ( у YJ T) и карбидов МС.  [5]

6 Изменения удельного сопротивления слитка, выращенного согласно условиям. [6]

Реально фронт кристаллизации не является плоским. Если фронт кристаллизации искривлен, то и в поперечном сечении слитка должно выявляться спиральное распределение примесей. Число витков этой спирали зависит от кривизны фронта кристаллизации.  [7]

8 Схема метода Киропулоса. 1 - - I 1, S - механизм подъема.| Схем. метода Вер-непля. 1-бункер. 2 - кристалл. S - печь. 4 - свеча. 5 - механизм опускания. в-встряхивающий механизм.| Схема низкотемпературного кристаллизатора. 1 - раствор. 2-кристалл. Я - печь. 4 - термо-етатирующая жидкость. 5 - мешалка. в - контактный термометр. 7 - терморегулятор. [8]

Если фронт кристаллизации отстает от диафрагмы ( находится ниже ее), то изотерма - вогнутая, а для обратного случая - выпуклая. Вогнутая изотерма возникает из-за повышенного радиального теплового потока ( рис. 2, а), плоская и: аы-пуклая изотермы получаются при дополнительном иагрепе ( рис. 2, б), а также усилением осевого отвода тепла с помощью холодильника. Источником тепла обычно служат либо печи сопротивления, либо печи с высокочастотным нагревом. Поэтому к тиглю предъявляют особые требования: его стенки - полированные и не должны изаимодействопать с кристаллизуемым веществэм.  [9]

Когда фронт кристаллизации сердцевины сокращается до такой степени, что количество отдаваемого тепла отливкой в окружающую среду в единицу времени начинает превышать количество тепла, выделяющегося за счет кристаллизации, начинается интенсивное охлаждение поверхности. Градиент температур между осевой и поверхностной зонами резко возрастает. Это приводит к тому, что осевая часть отливки также начинает интенсивно охлаждаться, кристаллизация оставшихся здесь участков жидкой фазы происходит при гораздо большем переохлаждении, чем кристаллизация выделившихся вначале колоний, и при большем переохлаждении, чем кристаллизация эвтектических колоний у поверхности. Результатом этого является тонкая графитная эвтектика в сердцевине отливки.  [10]

11 Выращивание монокристаллов. [11]

Положение фронта кристаллизации, а также массообмен между расплавом и твердой фазой сильно зависят от температуры процесса. При поддержании температуры расплава, близкой к точке плавления, фронт кристаллизации находится близко от уровня основного расплава, а при перегреве расплава он перемещается вверх. Эффективность очистки в последнем случае уменьшается. В связи с этим при выращивании кристаллов требуется особо тщательный контроль температуры расплава.  [12]

Форма фронта кристаллизации определяется условиями теп-лоотвода через растущий кристалл.  [13]

14 Схема зонной плавки. [14]

У фронта кристаллизации происходит накапливание примесей, которые должны быть оттеснены слева направо в глубину зоны.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5