Фронт - кристаллизация
Cтраница 3
При этом фронт кристаллизации постепенно поднимается вверх по мере выхода контейнера из зоны нагрева 2 Применение мешалки / помогает более быстрому распределению примесей между твердой и жидкой фазами. [31]
При выращивании фронт кристаллизации должен быть наиболее холодным местом в области расплава. Это приводит к необходимости отвода теплоты кристаллизации. Регулирование теплоотвода через кристалл или расплав при выращивании является методом управления формой монокристалла. Расширения кристалла достигают снижением температуры расплава или уменьшением скорости выращивания; уменьшения радиуса кристалла - повышением температуры расплава или скорости выращивания. [32]
На поверхности фронта кристаллизации образуется пограничный слой толщиной бк; аналогичный слой, но толщиной 6Т, образуется на дне тигля. [33]
Исследования формы фронта кристаллизации при выращивании бездислокационных монокристаллов германия и кремния свидетельствуют о том, что совершенная структура образуется только при определенной конфигурации границы раздела фаз. Рози [26] наблюдал, что плоская или несколько выпуклая к расплаву поверхность роста приводит к кристаллам с минимальной плотностью дислокаций. [34]
Сложная форма фронта кристаллизации в сочетании с большими осевыми градиентами температуры ( которые в методе бестигельной зонной плавки примерно вдвое больше, чем в методе Чохральского) создает большие термические напряжения в монокристаллах. [35]
Перемешивание вблизи фронта кристаллизации осуществляется мешалкой 7, представляющей собой кварцевый поплавок, нижняя часть которого имеет лопасти, а в верхней части запаян и жестко зафиксирован постоянный магнит. Центровка мешалки и скорость ее вращения регулируются. Процесс направленной кристаллизации повторяется до получения необходимой степени очистки, причем после каждого прохода остается незакристаллизован - Ряс. [36]
На поверхности фронта кристаллизации имеется выступ, который делит ванну на две характерные части. Нижняя часть значительно заглублена и имеет малую протяженность в поперечном сечении, тогда как верхняя часть более широкая и вытянута вдоль шва. Отсюда очевидно, что при лазерной сварке имеют место два процесса проплавления металла. Первый процесс связан с образованием канала, как это было показано выше. Именно он обеспечивает эффект глубокого проплавления. [37]
Перемешивание вблизи фронта кристаллизации осуществляется мешалкой ( 7), представляющей собой кварцевый поплавок, нижняя часть которого имеет лопасти, а в верхней части запаян и жестко зафиксирован постоянный магнит. Центровка мешалки и скорость ее вращения регулируются. [38]
Выпуклая граница фронта кристаллизации к тому же препятствует зарождению на стенках, так как более всего продвинувшаяся в расплав часть кристалла дальше всего удалена от стенок. Это предотвращает образование Новых кристалликов на пути дальнейшего роста главного кристалла. [39]
 |
Два случая отвода скрытой.| К доказательству устойчивости плоского фронта кристаллизации в случае 1. [40] |
Вдали от фронта кристаллизации перемешивание расплава может выравнивать температуру, и вблизи фронта кристаллизации образуется тепловой пограничный слой, подобный гидродинамическому, но, как правило, отличающийся от последнего по толщине. [41]
При движении фронта кристаллизации длина волновода будет непрерывно изменяться, что приводит к изменению резонансной частоты колебательной системы. В этих условиях весьма сложно поддерживать оптимальную интенсивность ультразвука, вводимого в расплав. [42]
При достижении фронта кристаллизации происходит перераспределение примеси вдоль кристаллизуемого образца вследствие различной ее растворимости в твердой и жидкой фазах. В процессе кристаллизации движущаяся фазовая граница встречает на своем пути примесные частицы ( ионы, атомы, молекулы, их ассоциаты-кластеры [ 42, с. [44]
Переохлаждение вблизи фронта кристаллизации столбчатых дендритов зависит от скорости теплоотвода. В процессе роста столбчатых кристаллов происходит разделительная диффузия у фронта кристаллизации и захват или выталкивание примесей гранями растущего кристалла. В связи с непрерывным обогащением расплава, заполняющего междендритные участки легкоплавкими компонентами, диффузионное переохлаждение перед фронтом кристаллизации боковых ветвей ( а тем более ветвей высшего порядка) возрастает, и скорость роста ветвей оказывается больше скорости роста основного ствола дендрита. Кристаллизующиеся в последнюю очередь места стыков соседних столбчатых дендритов наиболее обогащены растворимыми примесями. Выталкиваемые растущей главной осью примеси скапливаются у вершины дендрита, замедляя его рост и приводя в какой-то момент к полному прекращению роста. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5