Лазерный импульс
Cтраница 3
Запись стирается менее интенсивным лазерным импульсом. Температура в материале, окружающем пустотную камеру, поднимается выше температуры размягчения стекла. Вязкость стекла уменьшается, поверхностное натяжение изменяется, а давление пара остается пренебрежимо малым, так как энергия импульса подбирается таким образом, чтобы температура материала не намного превышала температуру размягчения. В результате происходит коллапс ( схлопывание) пустотной камеры и соответственно стирание записанной информации. Изменение вязкостно-эластических свойств, происходящее в процессе образования пустотных камер, и термо-механическая стабильность пустот объясняются авторами полимеризацией, индуцированной лазерным лучом. [32]
Подавая на образец лазерный импульс и импульс света с непрерывным спектром, спектр рассеяния можно получить за одну вспышку. [33]
В атмосферу посылаются лазерные импульсы на двух близких часто тах vt и vz, одна из которых ( vi) почти совпадает с центром линии поглощения va исследуемого вещества, а другая лежит вне ее, причем интервал частот ( YI, Vj) не перекрывается с остальными линиями поглощения. На приемник излучение поступает в результате отражения лазерного импульса от какого-либо рефлектора. [34]
А, применяя лазерные импульсы длительностью 0 1 не. [35]
Полученные в эксперименте фемптосекундные лазерные импульсы открывают перспективы наращивания быстродействия систем связи и ЭВМ. Они дают оценочный прогноз развития фотони-ки - еще одного направления в решении задачи быстродействия. [36]
Задающий генератор генерирует короткий лазерный импульс, который затем удлиняется в несколько десятков раз ( до г 0 1 - 1 не), приобретая линейную фазовую модуляцию. Затем этот импульс усиливается с сохранением модуляции без дополнительных нелинейных искажений ( 5Р2 - 3) в одно - или многопроходовой усилительной системе, а на ее выходе преобразуется вновь в короткий импульс первоначальной длительности. [37]
 |
Образование контакта в ИС. вскрытие А1 ( а, б, удаление SiO2 ( в, соединение за счет выброса расплавленного Si и осаждения его на А1 ( г. [38] |
Амплитуда и количество лазерных импульсов контролируются аттенюатором 4 и затвором 5, размещенными на линии лазерного излучения. [39]
В момент выхода лазерного импульса с передатчика начинает работать счетчик циклов частоты 100 Мгц или 1 Ггц, который выключается в момент поступления в приемник отраженного импульса, ято дает возможность определить интервал времени Дт прохождения светового импульса от установки до ИСЗ и обратно. [40]
Вещество под действием лазерного импульса вырывается в виде факела, скорость расширения, химический состав, температура которого подвергаются значительным изменениям во времени и пространстве. В идеальном случае факел должен быть квазиста-циопарным в течение всего промежутка времени, необходимого для получения сигналов для проведения спектроскопических измерений. [41]
При достаточной интенсивности лазерных импульсов эффективность резонансной фотоионизации близка к 100 %, такова же эффективность регистрации иона электронным умножителем. Это обеспечивает высокую чувствительность метода и возможность детектирования следов элементов в образцах на уровне 10 10 - 10 - 12 % в обычных экспериментах, а в специальных-на уровне одиночных частиц. [42]
Время задержки после возбуждающего лазерного импульса, в течение которого происходит этот процесс, в обычных полярных растворителях, как правило, имеет величину порядка 1 мкс. Вследствие хаотического распределения электронных спинов у ион-радикалов гомогенная рекомбинация должна приводить к образованию приблизительно 75 % триплетных и 25 % синглетных состояний. [43]
При большой мощности коротких лазерных импульсов этот процесс может приводить к механическому повреждению биотканей в окрестностях зоны лазерного воздействия. Этот факт необходимо учитывать при выборе параметров импульсного лазерного излучения, например, при шлифовке кожи, сверлении зубов или при лазерной коррекции остроты зрения. [44]
С увеличением интенсивности короткого лазерного импульса начинает проявляться ВКР. В условиях однородного облучаемого газа наибольшим инкрементом усиления обладает трехволновой процесс ВКР назад, при котором дочерняя электромагнитная волна сдвинута по частоте относительно лазерной волны в красную сторону ( стоксова компонента) на частоту плазменной волны и распространяется назад по отношению к лазерному излучению. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5