Волновая функция - электрон
Cтраница 1
 |
Потенциал одномерной модели Кронига-Пенни, ограниченной с одного конца. [1] |
Волновые функции электронов, находящихся на этих уровнях, быстро затухают при удалении от поверхности кристалла как в вакуум, так и в глубь кристалла. Это свидетельствует о том, что электроны, занимающие такие уровни, не могут проникать в глубь кристалла и локализуются у его поверхности. [2]
Волновые функции электрона на уровнях одномерной прямоугольной ямы затухают на характерном расстоянии ав Н / / 2тЕ, где Е - положение уровня, отсчитанное вниз от верхнего края ямы. [3]
Волновые функции электронов в Фт-состояниях ( т 0, 1) должны быть линейными комбинациями октаэдрических функций xy / r2, yz / r2 и zz / r2, соответствующих йе-орбитам. [4]
 |
Энергетическая диаграмма для случая контакта металла с диэлектриком при наличии поверхностных состояний. [5] |
Волновая функция электрона з ( х) имеет конечную величину внутри барьера ( рис. б), и так как i ( х) ty ( x) dx есть вероятность нахождения электрона внутри области от х до х dx, то электрон может проникнуть в запрещенную область барьера. [6]
Волновые функции электронов в кристалле могут быть описаны как гармонические волны, амплитуды которых модулированы с периодом, равным постоянной решетки. [7]
Волновая функция электрона отлична от нуля примерно в той же области кристалла, в которой существует возмущение, другими словами, электрон локализован в области возмущения. [8]
Волновая функция электрона, движущегося в потенциальном поле ( А-5), дается решением уравнения Шрединге. [9]
Волновые функции электрона Фд и дырки Ф / j комплексно сопряжены. Это значит, что дырка непрерывно сопровождает электрон. [10]
Соответственно волновая функция электрона при трансляции в направлении, перпендикулярном поверхности, уже не может вести себя как блоховская функция, что требует введения в задачу параметра z - координаты в направлении, перпендикулярном поверхности. Истинное изменение поля вблизи поверхности, воздействующего на электрон, очень велико и приводит к появлению новых одночастичных и коллективных вет -, вей в спектре приповерхностных плазменных мод, изменению экранирующих свойств и в конечном счете к модификации новой плотности состояний. [11]
Найти волновые функции электрона в однородном магнитном поле в состояниях, в которых он обладает определенными значениями импульса и момента вдоль направления поля. [12]
Моделируют волновые функции электрона до и после прохождения через барьер. [13]
Если волновые функции электронов в кристалле представляют собой линейные комбинации атомных орбиталей, то энергетические состояния в кристалле оказываются зависящими от значений энергии орбитального состояния в атомах и матричных элементов межатомного взаимодействия. Определяя эти матричные элементы подгонкой к известным из эксперимента энергетическим зонам, получаем, что для определения энергий орбитального состояния достаточно знать значения атомных термов. При этом изменение матричных элементов межатомного взаимодействия, взятых по волновым функциям ближайших соседей, при переходе от одного кристалла к другому подчиняется закону d - z, где d - длина связи. Эта зависимость, а также приближенные значения коэффициентов следуют из того, что энергетические зоны также могут быть приближенно рассчитаны в рамках модели свободных электронов. Значения атомных термов и коэффициенты, определяющие матричные элементы, приведены в ОПСЭ и будут использоваться при исследовании ковалентных и ионных кристаллов. [14]
Моделируют волновые функции электрона до и после прохождения через барьер. [15]
Страницы: 1 2 3 4