Диэлектрическая функция

Cтраница 1

Диэлектрическая функция обращается в нуль при Т - Тс ( Тс 0 557 ( 1 - v) e2 / l) вблизи q q0 ( q0 1 568 / /), что соответствует неустойчивости относительно образования волны зарядовой плотности. [1]

Поэтому диэлектрическая функция также имеет матричную форму. [2]

На этом этапе диэлектрическую функцию полезно связать с функцией Ван-Хова S ( k, со) плазмы. [3]

Схематическая зависимость мнимой части диэлектрической постоянной от частоты вблизи сингулярностей Ван Хова для случая одного, двух и трех измерений. [4]

В форме мнимой части диэлектрических функций, приведенных на рисунках 6.10 6.12, имеется много общего. Подобное сходство наблюдается не только для трех приведенных здесь полупроводников, но и для большинства полупроводников с тетраэдри-ческой связью групп IV, III-V и II-VI. Главное отличие между их диэлектрическими функциями заключается в энергиях переходов. Внимательный анализ EI этих полупроводников показывает, что все они обладают следующими особенностями. [5]

Вклад в мнимую часть диэлектрической функции е вследствие поглощения экситонов состоит из двух частей: одна возникает от связанных состояний, а другая от континуума. [6]

Реальная и мнимая части диэлектрической функции GaAs, измеренные с помощью эллипсометрии. Сплошная кривая получена для атомарно чистой поверхности, штриховая кривая для поверхности, покрытой пленкой окисла. [7]

В качестве примера того, насколько диэлектрическая функция чувствительна к качеству поверхности образца, на рис. 6.2 сравниваются псевдодиэлектрическая функция окисленной поверхности GaAs ( толщина окисной пленки 10 А) и диэлектрическая функция чистой поверхности GaAs. В этом диапазоне энергий значение ж к 4 [6.12], а соответствующая глубина проникновения составляет около 50 А. Очевидно, что даже окисная пленка толщиной всего 10 А существенно изменяет величину отражения. [8]

Этот подход основан на кластерном разложении диэлектрической функции, о котором кратко упоминалось в разд. Будут получены формулы для сдвига и уширения спектральной линии и проведено их сравнение с экспериментальными результатами. [9]

Альтернативным и более популярным методом определения комплексной диэлектрической функции сильно поглощающих образцов является измерение отражения. Главный недостаток этого метода заключается в его чувствительности к качеству поверхности образца. Поэтому отражение будет чрезвычайно чувствительно к загрязнениям поверхности, таким как окисные пленки или даже к загрязнениям, осевшим из воздуха. Если не предпринимаются большие усилия для получения атомарно чистой поверхности в сверхвысоком вакууме ( см. гл. [11]

Не считая чувствительности к состоянию поверхности, определение диэлектрической функции из отражения производится довольно просто. Образец облучается светом при нормальном или наклонном падении. [13]

Рассеяние света на жидкости существенным образом зависит от корреляций диэлектрической функции или коэффициента преломления. [14]

Спектры отражения и спектры отражения с частотной модуляцией для GaAs. а спектр отражения при комнатной температуре ( тот же, что и на. 6 ( l / R ( dR / dE, вычисленный для кривой отражения при 2 К путем нахождения производной по энергии фотона Е. в сплошная кривая спектр ( 1 / R ( dR / dE j измеренный на спектрометре с модуляцией длины волны при 4 К. Штриховая кривая спектр, вычисленный на основе зонной структуры, расчитанной по методу псевдопотенциала. В ( а и ( б использованы спектры из. В ( в использованы спектры из. [15]

Страницы: 1 2 3 4