Халькогениды

Cтраница 3

Халькогениды мышьяка взаимодействуют с галогенами с образованием соответствующих трехкомпонентных стекол. [31]

Халькогениды ртути получают обычно сплавлением в эвакуированных и запаянных кварцевых ампулах, помещенных в предохранительные стальные стаканы. Рекомендуется применять вибрационное перемешивание. [32]

Халькогениды скандия и иттрия также значительно отличаются от халькогенидов РЗМ как по технологии, так и по ряду свойств. [33]

Халькогениды РЬ имеют структуру NaCl; остальные кристаллизуются в пизкосиммотричных ( ромбической или ромбоэдрич. Халькогеииды РЬ применяют для изготовления фотоэлектрич. Из S1) 2S3 ( стибнит) изготовляют светочу вствит. [34]

Халькогениды титана ( IV), образующиеся при прямом синтезе из простых веществ, взятых в стехиометрических количествах, малорастворимы в воде. Объясните, почему они не выпадают из водного раствора солей титана ( IV) при добавлении растворимых сульфидов. [35]

Халькогениды таллия в твердой фазе обладают высокой фоточувствительностью и имеют термоэлектрические свойства, приемлемые для практического использования в полупроводниковых устройствах. Наблюдающаяся в ряде сплавов системы Т1 - Те проводимость re - типа, крайне редко встречающаяся в проводящих расплавах, позволяет рассматривать соединения таллия с теллуром как перспективный материал для отрицательных ветвей жидких термоэлектрических генераторов. Однако для характеристики расплавленных халькогенидов таллия как возможного материала для жидких термоэлектрических генераторов необходимы сведения о важном параметре - коэффициенте теплопроводности. Этот параметр не только определяет термоэлектрическую добротность материала, но и является одной из важнейших характеристик жидкости, зависящей от ее структуры и характера движения ее структурных элементов. [36]

Халькогениды висмута представляют собой типичные координационные кристаллы, тогда как для структур As2X3 и Sb2X3 ( особенно с легкими халькогенами) характерны молекулярные фрагменты. Структуры этих кристаллов гетеродесмичны. Например, кристалл As2S3 построен из гофрированных сеток, связь между которыми осуществляется за счет ван-дер-ваальсова взаимодействия. Внутри же сеток связи преимущественно ковалентные. Иными словами, между слоями наблюдается определенный электронный обмен ( перекрывание орбиталей), приводящий к упрочению связей. [37]

Система таллий - иод. [38]

Халькогениды таллия сильно отличаются по свойствам от халькогенидов галлия и индия. [39]

Халькогениды олова имеют электропроводность р-типа. К под давлением паров серы, отвечающим трехфазному равновесию, электропроводность р-типа сохранялась всегда независимо от того, были ли насыщены кристаллы серой или оловом. В кристаллах с избытком серы относительно стехиометрического состава закалка не является эффективной. Выше температуры 720 К концентрация носителей заряда не зависит от температуры закалки и на кривой солидуса появляется резкий излом. Аналогичные результаты получены и при измерении концентрации носителей заряда в закаленных образцах монокристаллов селенида олова. [40]

Халькогениды олова, как уже отмечалось, имеют электропроводность р-типа. Оптическая ширина запрещенной зоны сульфида олова, найденная по положению края собственного поглощения, имеет значение 1 08 эВ при комнатной температуре и 1 115 эВ при 77 К. Считают, что оптическое поглощение в этой области спектра определяется непрямыми переходами. У сульфида олова, обладающего слоистой структурой, наблюдают резкую анизотропию свойств по разным направлениям. [41]

Халькогениды состава А2 В, по сравнению с рассмотренными выше, изучены значительно меньше. Однако имеющиеся данные позволяют отметить, что эти соединения не принадлежат единой кристаллохимической группе. Соединения бора этого состава не известны. Но в системах алюминия, галлия, индия и таллия эти соединения образуются. Сульфид и селенид алюминия A12S и Al2Se - газообразные вещества, а халькогениды галлия и индия - твердые вещества с инконгруэнтным плавлением, что указывает на их малую термическую устойчивость. Только халькогениды таллия этого состава являются наиболее ярко выраженными конгруэнтно плавящимися соединениями в системах таллий - халькоген. Теллуриды алюминия и галлия А12Т1 и Ga2Te не обнаружены. Структура T12S является антитипом структуры РЬ) 2 или может рассматриваться как слегка искаженная структура типа cc - CdJ2 с ромбоэдрической ячейкой. [42]

Халькогениды скандия и иттрия состава A Bj1, a также халькогениды редкоземельных элементов подгруппы иттрия по свойствам стоят ближе к соответствующим соединениям элементов III Б подгруппы. Они, например, кристаллизуются в структуре типа структуры у - А1203 и имеют ряд модификаций. [43]

Халькогениды элементов III Б подгруппы не являются изолированной, отдельной группой химических соединений. Их свойства, с одной стороны, близки свойствам кислородных соединений элементов III Б группы и, с другой - - свойствам халькогенидов элементов III А подгруппы - скандия, иттрия и РЗЭ. [44]

Халькогениды элементов III Б группы обладают практически важными свойствами, но не нашли еще широкого применения. Однако сейчас уже ясно, что эта интересная группа веществ найдет применение и, прежде всего, в качестве полупроводников. Обзор, проведенный нами, показывает, что в распоряжении исследователей имеются материалы с очень широким набором свойств. [45]

Страницы: 1 2 3 4