Cтраница 4
Халькогениды состава MX - кроме окислов, которые по известны - встречаются у всех трех металлов. [46]
Халькогениды переходных металлов имеют довольно сложные кристаллические структуры, в которых обычные валентные соотношения, как правило, не соблюдаются. Они представляют собой часто катионо - и анионоизбыточные фазы. Обобщенным кри-сталлохимическим правилом Музсра - Пирсона воспользоваться затруднительно в силу неопределенности валентного состояния d - элементов. Все халькогениды относятся к бинарным соединениям с летучим компонентом и склонны к термической диссоциации. При этом координационным халькогенидам свойственна более или менее ярко выраженная переменность состава, особенно заметная у низших халькогенидов переходных металлов. [47]
Халькогениды состава MX - кроме окислов, которые неизвестны - встречаются у всех трех металлов. [48]
Халькогениды элементов III Б подгруппы не являются изолированной, отдельной группой химических соединений. Их свойства, с одной стороны, близки свойствам кислородных соединений элементов III Б группы и, с другой - свойствам халькогенидов элементов III А подгруппы - скандия, иттрия и РЗЭ. [49]
Халькогениды элементов III Б группы обладают практически важными свойствами, но не нашли еще широкого применения. Однако сейчас уже ясно, что эта интересная группа веществ найдет применение и, прежде всего, в качестве полупроводников. Обзор, проведенный нами, показывает, что в распоряжении исследователей имеются материалы с очень широким набором свойств. [50]
Двойные халькогениды индия In2S3, In2Se3, 1п2Те3 являются ионными кристаллами. Однако прямые структурные исследования их затруднены, вследствие наличия вакансий в узлах катионной подрешетки, узких областей гомогенности, отклонения от стехиометрии и тенденции к двойнико-ванию. Метод ЯКР может служить критерием для однозначного выбора той или иной структурной модели. Из данных ЯКР следует, ЧТОБ кристаллах i - In2S3, а - и p - In2Se3, а - 1п2Те3 атомы индия занимают по два кристаллографически неэквивалентных положения. Большие значения параметров асимметрии градиента электрического поля в p - In2Se3 ( гц 42 5 %, т ] 2 74 4 %) по сравнению с a - In2Se3 ( т 1 9 %, rj2 3 9 %) указывают на более высокую симметрию окружения атомов индия во втором случае. [51]
Рассмотренные двойные халькогениды алюминия имеют, по-видимому, малое практическое значение, хотя некоторые полупроводниковые свойства соединений состава 2: 3 - фоточувствительность и оптические свойства - представляют интерес. [52]
Халькогениды сильно электроположительных элементов ( металлов) обычно кристаллизуются с образованием типичных ионных решеток, имеющих структуру, близкую к структуре галогенидов. [53]