Коллекторная характеристика - транзистор
Cтраница 1
Коллекторные характеристики транзистора по схеме ОЭ в усилит теле мощности показаны на рис. 10.5. Прежде всего видно, что коэффициент использования коллекторного напряжения егаах при этом несколько меньше единицы. [1]
Выходные или коллекторные характеристики транзистора в схеме с общей базой показывают зависимость тока коллектора / от напряжения коллектора относительно базы t / к.б. Семейства выходных характеристик бывают двух типов: при фиксированных значениях тока эмиттера / а ( рис, 5 - 17) и при фиксированных значениях напряжения на эмиттере i / a. [3]
Этим режимам на коллекторных характеристиках транзистора Т2 соответствуют точки А, В, С, D ( рис. 12 - 4), ограничивающие рабочую область. Отрезки AD и ВС, казалось бы, должны проходить вертикально, однако надо учитывать внутреннее сопротивление выпрямителя га и, следовательно, рост выпрямленного ( входного) напряжения с уменьшением тока нагрузки. [4]
Этим режимам на коллекторных характеристиках транзистора ( рис. 9 - 5, б) соответствуют точки Л, В, С, D, ограничивающие рабочую область. [5]
Нагрузочная ( рабочая) коллекторная характеристика транзистора с ОБ для усилительного каскада на сопротивлениях такая же, как у пентода или вакуумного триода. [6]
 |
Динамическая характе-ристика лавинного транзистора. [7] |
На рис. 7.3 показана коллекторная характеристика транзистора с областью лавинного умножения. [8]
 |
Динамическая характеристика лавинного транзистора. [9] |
На рис. 7.16 показана коллекторная характеристика транзистора с областью лавинного умножения. Транзистор может быть возвращен в первоначальный режим с высоким сопротивлением только снятием на короткое время коллекторного напряжения или понижением его настолько, чтобы сместить нагрузочную линию левее точки Б характеристики. [10]
Средний коэффициент усиления р определяется по коллекторным характеристикам транзистора или при отсутствии таковых берется из паспорта транзистора. [11]
Как видно из рис. 3.29 а, коллекторные характеристики транзистора 1к / ( к) при разных токах базы t e по своему виду совпадают с анодными характеристиками пентода. Динамическая характеристика пересекает линию режима насыщения при очень малых значениях остаточного напряжения на коллекторе. При достижении транзистором режима насыщения его коллекторное напряжение практически не изменяется при дальнейшем повышении входного тока / R. Коллекторно-базовая динамическая характеристика имеет два резких излома в области отсечки коллекторного тока и в области насыщения, которые и используются для ограничения. [12]
 |
Транзисторный ключ с общим эмиттером. [13] |
На рис. 2 - 2, а приведены коллекторные характеристики транзистора. [14]
ОЭ, а на рис. 3 - 29, б приведены коллекторные характеристики транзистора с нанесенной на них нагрузочной прямой. Транзисторный ключ коммутирует электрическую цепь, состоящую из источника питания Ек и нагрузочного резистора RK. Управление осуществляется с помощью входного напряжения МЕХ, которое во входной цепи, содержащей резистор Rs Rsx. [15]
Страницы: 1 2 3