Коллекторная характеристика - транзистор
Cтраница 3
Все статические характеристики в инверсном режиме работы подобны соответствующим статическим характеристикам транзистора при его нормальном включении. На рис. 3 - 16, б показаны коллекторные характеристики транзистора в схеме с ОЭ для инверсного включения, а на рис. 3 - 16 0 ( для сравнения в том же масштабе) - для обычного включения. [31]
Имеется одно очень существенное различие между транзисторами и электронными лампами, которое налагает ограничения при использовании первых в усилителях мощности. Это различие состоит в том, что излом коллекторных характеристик транзистора происходит при относительно низких напряжениях по сравнению с предельно допустимым анодным напряжением электронной лампы. [33]
 |
Входная ( а и коллекторная ( б ( в области насыщения вольт-амперные характеристики транзистора при базовом управлении. [34] |
Одна из этих прямых проходит через граничную точку / к РлДб и параллельна оси напряжения, а другая с наклоном гкэ ( где гкэ - выходное сопротивление насыщенного транзистора в схеме с общим эмиттером) касательна к крутому участку коллекторной характеристики. Сопротивление гкэ, а также остаточное напряжение определяют из коллекторной характеристики транзистора в области насыщения. [35]
Она может быть получена путем графических построений. По нагрузочной характеристике выходной цепи, нанесенной на семейство статических коллекторных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ, методом интерполяции определяют токи эмиттера, соответствующие напряжениям коллектора, при которых сняты статические эмиттерные характеристики транзистора. [36]
КЭ БЭ напряжение ( / КБ остается положительным, поэтому транзистор остается в режиме насыщения. БЭ I 1 В, что и предопределяет быстрое изменение коллекторного тока на крутом ( восходящем) участке коллекторной характеристики транзистора в схеме с ОЭ. [37]
Вследствие этого сокращается время прохождения дырок эмиттера через базу в область коллектора. Возрастает ток коллектора, но одновременно уменьшается ток базы ( ввиду сокращения ширины базы), что ведет к незначительным изменениям тока / 3 и сдвигам характеристик влево. Выходные или коллекторные характеристики транзисторов представляют зависимость / к / ( к) при / 3 const. При / э0 выходная характеристика аналогична характеристике диода для режима обратного напряжения. Величина тока коллектора / к при / э0 зависит от концентрации неосновных носителей тока в базе ( дырок) и коллекторе ( электронов) и при нормальных условиях составляет несколько микроампер. [38]
 |
Схета мощного усилительного каскада. [39] |
Схема мощного усилительного каскада показана на рис. 8.9. Транзистор включен по схеме ОЭ. В отличие от маломощного каскада, здесь отсутствует сопротивление отрицательной обратной связи R3, на котором в данном случае выделилась бы недопустимо большая мощность потерь. На рис. 8.10 показано семейство коллекторных характеристик транзистора, линии статической и динамической нагрузки, выходные ток и напряжение каскада. [40]
Страницы: 1 2 3