Коллекторная характеристика - транзистор
Cтраница 2
Вторичный пробой отличается от лавинного пробоя тем, что с его возникновением коллекторные характеристики транзистора больше не определяются режимом базы. [16]
Принцип действия токостабилизирующего элемента поясняется на рис. 8.12, на котором показаны коллекторные характеристики транзистора. При фиксированном токе базы ( например, / б2) коллекторный ток слабо зависит от напряжения, действующего между эмиттером и коллектором транзистора. Укэ коллекторный ток уменьшается на незначительную величину Д / к. Таким образом, VT2 ( рис. 8.11) поддерживает ток заряда конденсатора постоянным и согласно (8.15) напряжение на конденсаторе изменяется по линейному закону. С выхода схемы сигнал поступает на усилитель горизонтального отклонения. [17]
Анодные ( выходные) характеристики пентода ( рис. 3.15) аналогичны по форме коллекторным характеристикам транзистора. Положение рабочей точки зависит от напряжения ыс на управляющей сетке. [18]
 |
Принципиальная схема малошумящего составного эмиттерного повторителя. [19] |
Несмотря на это, первый триод работает фактически как эмиттерный повторитель, так как коллекторные характеристики транзистора схожи с анодными характеристиками пентода и ток эмиттера фактически не зависит от напряжения на коллекторе. Поэтому при расчете входного сопротивления каскада приближенно можно считать, что первый каскад работает по схеме с заземленным коллектором. [20]
Это достигается благодаря включению транзистора ПТ по схеме с общей базой, в результате чего коллекторные характеристики транзистора располагаются почти параллельно оси абсцисс, и зарядный ток конденсатора С остается постоянным вплоть до очень малого значения напряжения на переходе коллектор - база. [21]
В ряде случаев в модель вводят также зависимость коэффициентов передачи от напряжения на переходах, задающую наклон коллекторных характеристик транзистора. [22]
БЭ 1 В, что и предопределяет быстрое изменение коллекторного тока на крутом ( восходящем) участке коллекторной характеристики транзистора в схеме с ОЭ. [23]
На рис. 3 - 29, а показана простейшая схема электронного ключа на транзисторе с ОЭ, а на рис. 3 - 29, б приведены коллекторные характеристики транзистора с нанесенной на них нагрузочной прямой. Транзисторный ключ коммутирует электрическую цепь, состоящую из источника питания Ек и нагрузочного резистора RK. Управление осуществляется, с помощью входного напряжения вх, которое во входной цепи, содержащей резистор б вх. [24]
 |
Основная схема транзисторного выходного каскада строчной развертки.| Идеализированная ( АБ и реальная ( АБ характеристики запирания выходного транзистора. [25] |
Вследствие инерционности рассасывания неосновных носителей на коллекторном переходе при подаче в цепь базы запирающего импульса с крутым фронтом запирание выходного транзистора затягивается, что существенно увеличивает мощность потерь в схеме. На рис. 4.40 представлены коллекторные характеристики транзистора. [26]
Область / / / - область насыщения, в которой ток коллектора не зависит от тока базы и определяется только величинами Ек и RK. Начало области насыщения соответствует изгибу коллекторных характеристик транзистора. Напряжение между базой и эмиттером также незначительно. [27]
 |
Схема измерения параметров транзисторов / 12б и ft226. [28] |
В некоторых - испытателях производится измерение ( / - параметров транзисторов. Наиболее сложные испытатели позволяют снимать семейства эмиттерных и коллекторных характеристик транзисторов. Для автоматического получения семейств этих характеристик путем непосредственного их воспроизведения на экране осциллографа применяются характериографы. [29]
Все статические характеристики в инверсном режиме работы подобны соответствующим статическим характеристикам транзистора при его нормальном включении. На рис. 3 - 16 6 показаны коллекторные характеристики транзистора в схеме с ОЭ для инверсного включения, а на рис. 3 - 16, в ( для сравнения в том же масштабе) - для обычного включения. [30]
Страницы: 1 2 3