Выходная статическая характеристика
Cтраница 1
Выходные статические характеристики при / 6const в рабочей области располагаются над нулевой на соответствующем уровне и по сравнению с выходными статическими характеристиками транзистора с ОБ имеют примерно в р раз больше наклон и более резко выраженное сгущение при значительных токах базы. [1]
Выходные статические характеристики при / о const в рабочей области располагаются над нулевой на соответствующем уровне и по сравнению с выходными статическими характеристиками транзистора с ОБ имеют примерно в р раз больший наклон и более резко выраженное сближение при значительных токах базы. [2]
 |
Диаграммы работы и характеристики двухтактного каскада. [3] |
Если выходные статические характеристики / к ср ( UK, / б) транзисторов с общим эмиттером идентичны, то разностный ток гразн ( 0 гк ( 0 содержит только нечетные гармоники. Протекание коллекторных токов t Kl ( t) и / К2 ( /) через обмотки согласующего трансформатора Т2 создает специфические особенности работы двухтактного усилительного каскада перед однотактным. [4]
Семейство выходных статических характеристик ( рис. 17.20, а) аналогично семейству выходных характеристик транзистора с управляющим р-и-переходом. [5]
Семейство выходных статических характеристик ( рис. 1.44, а) аналогично семейству выходных характеристик транзистора с управляющим p - n - переходом. [6]
Смещение выходных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении тока эмиттера соответствует принципу действия транзистора. [7]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы. [8] |
Смещение выходных статических характеристик вверх происходит в соответствии с формулой (4.40) и связано с увеличением тока эмиттера при условии постоянства напряжения на коллекторе и увеличения тока базы. Необходимо отметить различное расстояние между выходными характеристиками по оси токов при равных приращениях тока базы. При малых токах базы кривые располагаются часто, при больших токах базы - редко, а затем опять часто. [9]
 |
Статические характеристики передачи тока транзистора, включенного по схеме с общей базой. [10] |
Смещение выходных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении тока эмиттера соответствует принципу действия транзистора. [11]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при пг стоянном токе базы ( б.. / кэ. 1. / кэ. [12] |
Смещение выходных статических характеристик вверх происходит в соответствии с формулой (4.40) и связано с увеличением тока эмиттера при условии постоянства напряжения на коллекторе и увеличения тока базы. [13]
 |
Статические характеристики передачи тока транзистора, включенного по схеме с обшей базой. [14] |
Смещение выходных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении тока эмиттера соответствует принципу действия транзистора. [15]
Страницы: 1 2 3 4