Выходная статическая характеристика

Cтраница 4

Максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, РМакс - максимальное значение суммарной мощности, длительно рассеиваемой в транзисторе, при которой гарантируется его сохранность. При работе транзистора в активной области выходных статических характеристик ( в усилительных каскадах) мощность, рассеиваемая в коллекторном переходе, обычно во много раз превышает мощность, рассеиваемую в эмиттерном переходе ( РкРэ) Поэто му значение Рмакс часто отождествляется со значением Рк. Однако при низких напряжениях на коллекторе мощности, рассеиваемые в обоих р-п переходах, имеют одинаковый порядок, и необходимо учитывать суммар. [46]

Выражение (3.1) является уравнением нагрузочной линии постоянного тока; в координатах ивых, iBbIX она представляет собой прямую линию. Для ее построения на горизонтальной оси семейства выходных статических характеристик усилительного элемента в координатах ВЫх, г вых отмечают напряжение питания Е, а а вертикальной Оси-точку /, определяемую выражением IEIR. Проведенная через обе отмеченные точки пряма я является нагрузочной, линией постоянного тока; так как она прямолинейна, ее нередко называют нагрузочной прямой постоянного тока. [47]

Динамическая выходная характеристика транзистора представляет собой график изменения тока коллектора от напряжения коллектора в зависимости от тока во входной цепи. Динамическая выходная характеристика ( рис. 35, а) строится по семейству выходных статических характеристик и служит для определения коэффициента усиления по току. Прямая АВ, являющаяся геометрическим местом точек семейства статических выходных характеристик при заданных значениях Ек и R arp, представляет динамическую выходную характеристику. [48]

Схемы усилительных каскадов с низкочастотной коррекцией. [49]

Формулы ( 1 - 202) - ( 1 - 206) справедливы и для двухтактных усилителей в режимах класса АВ, если при половинной амплитуде входного сигнала одно из плеч запирается. Расчет по этим ф-лам с определением входящих в них значений тока / а по семейству выходных статических характеристик обеспечивает достаточную точность для каскадов с полевыми транзисторами или электронными лампами в режимах без сеточных токов. Последняя для одного плеча строится с помощью тех же приемов, что и для однотактных каскадов ( стр. [50]

Характеристики передачи полевого транзистора в соответствии с (6.1) представляют собой зависимости тока стока от напряжения на затворе при различных постоянных напряжениях на стоке. Так как основным рабочим режимом полевых транзисторов является режим насыщения тока стока, что соответствует пологим частям выходных статических характеристик, то наибольший интерес представляет зависимость тока насыщения от напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке. Характер этой зависимости ясен из принципа действия полевого транзистора с управляющим p - n - переходом. [51]

Статические характеристики передачи полевого транзистора в соответствии с (6.1) представляют собой зависимости тока стока от напряжения на затворе при различных постоянных напряжениях на стоке. Так как основным рабочим режимом полевых транзисторов является режим насыщения тока стока, что соответствует пологим частям выходных статических характеристик, то наибольший интерес представляет зависимость тока насыщения от напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке. Характер этой зависимости ясен из принципа действия полевого транзистора с управляющим р-га-переходом. [52]

Статические характеристики передачи полевого транзистора в соответствии с (6.1) представляют собой зависимости тока стока от напряжения на затворе при различных постоянных напряжениях на стоке. Так как основным рабочим режимом полевых транзисторов является режим насыщения тока стока, что соответствует пологим частям выходных статических характеристик, то наибольший интерес представляет зависимость токэ насыщения от напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке. Характер этой зависимости ясен из принципа действия полевого транзистора с управляющим р-я-переходом. [53]

Увеличение толщины управляющих р-я-переходов со стороны стока и соответствующее увеличение длины перекрытой части проводящего канала при увеличении напряжения на стоке и неизменном напряжении на затворе относительно истока. / - напряжение на стоке равно напряжению насыщения ( Л. и ас. [54]

Теперь рассмотрим смещение и изменение статических характеристик с изменением напряжения на затворе. При подаче на затвор напряжения такой полярности относительно истока, которая соответствует обратному смещению p - n - перехода затвора, и при увеличении этого напряжения по абсолютному значению уменьшается начальное поперечное сечение канала. Поэтому начальные участки выходных статических характеристик при напряжениях на затворе, отличных от нуля, имеют другой наклон, соответствующий большим начальным статическим сопротивлениям канала. [55]

При / э 0 и [ / Кб 0 на величину выходного тока транзистора основное влияние оказывает ток, обусловленный инжекцией дырок через эмиттерный переход ( / э), и его изменение приводит к пропорциональному изменению тока коллектора. Поэтому семейство выходных статических характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ, при / э 0 и небольших отрицательных напряжениях на коллекторе представляет собой ряд прямых, идущих почти параллельно оси абсцисс. В области больших отрицательных значений ик выходные статические характеристики начинают заметно изгибаться, так как напряжение на коллекторном переходе приближается к напряжению пробоя. [56]

Так же как и для ламп, наклон выходных статических характеристик канального транзистора определяет выходную проводимость 1 IRi. В рабочей области угол наклона характеристик весьма близок к нулю. [57]

Страницы: 1 2 3 4