Cтраница 2
![]() |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при постоянном токе базы ( б. [16] |
Смещение выходных статических характеристик вверх происходит в соответствии с формулой (4.40) и связано с увеличением тока эмиттера при условии постоянства напряжения на коллекторе и увеличения тока базы. [17]
На семействе выходных статических характеристик допустима мощность рассеяния ограничивается гиперболой Рк манс ( фиг. Исходная рабочая точка А и наклон динамической характеристики ВС должны выбираться так, чтобы при максимальном использовании триода по коллекторному току и напряжению отдаваемая мощность была не менее заданной. [18]
На семействе выходных статических характеристик полевого транзистора выбираем рабочую точку покоя и определяем режим транзистора по постоянному току, его крутизну и выходное сопротивление в рабочей точке. [19]
Поскольку пологий участок выходных статических характеристик полевых транзисторов является, как и в вакуумных пентодах, основным рабочим участком, определим крутизну характеристики S именно в этой области. [20]
Упражнение 3.17. Изобразите семейство выходных статических характеристик для биполярного ( полевого) транзистора и покажите способы построения нагрузочных линий для постоянного и переменного токов. [21]
![]() |
Нагрузочная характеристика усилителя.| Схема простейшего. [22] |
Построение нагрузочной коллекторной характеристики на семействе выходных статических характеристик показано на рис. 4.13. Рабочая точка на нагрузочной коллекторной характеристике задается током эмиттера / эо. [23]
![]() |
Семейства статических характеристик.| Семейства статических характериств. [24] |
Со стороны высокого обратного напряжения активная область выходных статических характеристик ограничивается областью сильного увеличения коллекторного тока, где характеристики изгибаются и начинают круто подниматься вверх. В схеме с общей базой такое явление наблюдается при приближении к пробивному напряжению коллекторного перехода ( UK. [25]
Для получения выражений, соответствующих пологим частям выходных статических характеристик, надо учесть, что при потенциале стокового конца канала U ( l) L / си нас происходит перекрытие канала около стока. [26]
Для получения выражений, соответствующих пологим частям выходных статических характеристик, надо учесть, что при потенциале стокового конца канала t / ( /) ( / си нас происходит перекрытие канала около стока. [27]
![]() |
Принципиальная схеиа однотажт-ного трансформаторного каскада с иеи.| Диаграмма работы однотактного трансформаторного каскада с пентодом 6П18П при. / с 2170 В для различных значений Ц. [28] |
Схема трансформаторного каскада с пентодом изо-бражена на рис. 6.5. Выходные статические характеристики пентода ( рис. 6.6) по форме напоминают характеристики транзистора. При правильно подобранном сопротивлении нагрузки для: переменного тока удается получить достаточно полное использование лампы по напряжению и по току анода. [29]
Важнейшими семействами статических характеристик для полевого транзистора являются семейство выходных статических характеристик и семейство характеристик передачи. [30]