Вольтамперная характеристика - диод
Cтраница 1
Вольтамперные характеристики диода исследуются при напряжениях на аноде от 0 до 50 В. В пределах от - О до 30 В анодное напряжение регулируется при установке переключателя напряжения на выпрямителе Б5 - 10 в положение-0. В дальнейшем переключатель выпрямителя нужно перевест в положение 30, позволяющее получать напряжения от 30 до 60 В. [1]
Вольтамперная характеристика диода существенно нелинейна, и благодаря этому свойству диод можно использовать в качестве ключа. В прямой области падение напряжения на кремниевом диоде равно 0 6 В. Это напряжение зависит от температуры со средним температурным коэффициентом - 2 0 мВ / С. В обратной области типичный обратный ток кремниевого диода равен 10 нА при комнатной температуре и при обратном напряжении смещения 10 В. Обратный ток тоже зависит от температуры. В качестве грубой оценки можно принять, что обратный ток удваивается при увеличении температуры на каж ые 10 С. Как прямое падение напряжения, так и обратный ток утечки вносят погрешности в работу ЦАП и Должны учитываться в процесхе его проектирования. [2]
Вольтамперная характеристика диода на рабочем участке может быть аппроксимирована экспоненциальной функцией is / 0 ( еа а - 1), где / 0 и а - постоянные величины, которые определяются из сравнения аналитической зависимости ia с экспериментальной характеристикой диода. [3]
 |
Зависимость токаи барьерной емкости от напряжения кремниевого диода р - п перехода в режиме обратного смещения.| Эквивалентная схема полупроводникового диода при обратном смещении. [4] |
Вольтамперная характеристика диода позволяет определить величину прямого и обратного токов. Важнейшими параметрами диода являются величина прямого тока при напряжении 1 в, величина пробивного обратного напряжения и величина обратного тока при максимальном обратном напряжении. [5]
 |
Устройство ( а и условное графическое обозначение ( б плоскостного полупроводникового диода.| Устройство точечного полупроводникового диода. [6] |
Теоретическая вольтамперная характеристика диода аналогична характеристике выпрямляющего p - n - перехода. [7]
Вольтамперные характеристики диода средней мощности для температур 25 и 125 С приведены на фиг. В прямом направлении диод при температуре 25 С пропускает ток величиной более 20 а при падении напряжения на 1 в. С повышением температуры прямой ток возрастает. Диод хорошо выдерживает обратные напряжения до 300 в ( при токе менее 1 ма) даже при 125 С. Сравнение вольтамперных характеристик трех типов выпрямителей различной мощности при температуре 25 С показано на фиг. Обратные токи изменяются прямо пропорционально площади электронно-дырочных переходов, а прямое падение напряжения обратно пропорционально этой площади. Кроме того, на форму обратной ветви характеристик, очевидно, влияют поверхностные эффекты. Некоторая разница в прямых характеристиках обусловлена контактами и сопротивлением внутренней части выводов диода. Пробивное напряжение диода независимо от мощности определяется выбором исходного материала. [8]
 |
Влияние сопротивления цепи управления на характеристику вход - выход МУС. [9] |
Однако вольтамперные характеристики диодов, применяемых в усилителях, могут несколько отличаться от экспериментальных. [10]
Используя вольтамперные характеристики диода Д223Б ( см. рис. 59), определить приблизительно, во сколько раз уменьшается дифференциальное сопротивление в прямом направлении при напряжении 1 / пр0 7 вив обратном направлении при напряжении [ / обр75 в с увеличением температуры от 20 С до 125 С. [11]
 |
Вольтамперные характеристики диода при различных температурах металлического катода. [12] |
Из вольтамперной характеристики диода видно, что при отсутствии анодного напряжения ( t / a 0) и при малых значениях отрицательного анодного напряжения ( участков ab) через диод проходит небольшой ток. [13]
Аппроксимируем вольтамперную характеристику диода ломаной кривой, состоящей из трех отрезков ( ом. [14]
 |
Эквивалентная схема диода при обратном смещении. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5