Вольтамперная характеристика - диод
Cтраница 3
Таким образом, вид вольтамперной характеристики четырехслойного диода зависит от одновременного действия нескольких процессов. Это затрудняет нахождение аналитического выражения вольтамперной характеристики четырехслойного диода. [31]
 |
Структура управляемого четырехслойного диода типа р-п-р-п.| Семейство вольтамперных характеристик управляемого четырехслойного диода типа р-п-р-п. [32] |
На рис. 4.66 представлено семейство вольтамперных характеристик управляемого четырехслойного диода, полученное для различных токов / б через управляющий электрод. При некотором критическом значении тока базы, называемом током спрямления / СПр, исчезает участок с отрицательным сопротивлением, прибор включается, минуя запертое состояние. В этом случае уже при малом общем токе через четырехслойный диод суммарное значение а достаточно велико. [33]
 |
Вольтамперные характеристики диодов ДГ-Ц. [34] |
На рис. 57 - 59 представлены вольтамперные характеристики диодов. [35]
На рис. 50 - 52 представлены вольтамперные характеристики диодов. [36]
Непосредственно из вольтамперных характеристик домена следуют вольтамперные характеристики диода Ганна с доменом. Строятся эти характеристики как сумма статической характеристики образца без домена и характеристики домена сильного поля. Участок BCD на рис. 8.12 соответствует участку В / С на рис. 8.10. Участок АВ обычно не доступен измерению. [37]
Рпр могут быть также найдены из вольтамперной характеристики диода, если известен ток / пр. [38]
 |
Транзистор. Транзисторы. Транзи. [39] |
На рис. 5.31 показан примерный зид вольтамперной характеристики юлупроводникового диода. Япр невелико - от долей ома у мощных полупроводниковых диодов до нескольких десятков ом у маломощных диодов. [40]
Форма тока через диод определяется по вольтамперной характеристике диода при заданной форме напряжения. Например, если диод Ганна работает в режиме с задержкой образования домена при пороговом напряжении, времена рекомбинации и формирования домена малы по сравнению с периодом колебаний и форма напряжения на диоде синусоидальная, то форма тока определяется по вольтамперной характеристике ( см. рис. 8.16) в виде цикла ABCDEFA. [41]
При этом может быть рассчитана большая область вольтамперной характеристики диода, где величина тока изменяется в 33 раза. [42]
 |
Схема рассчитываемого выпрямителя ( а, вольтамперная характеристика вентиля ДЗОЗ ( б и внешняя характеристика выпрямителя ( в. [43] |
Падения напряжения на вентилях определяем с помощью вольтамперных характеристик диодов ДЗОЗ при 20 С ( см. рис. 2.96) для / Пр 2 36а и с учетом того, что ток протекает по двум последовательно соединенным диодам. [44]
Формула ( 39 38) не дает непосредственно вольтамперную характеристику плоского диода, но позволяет построить эту характеристику по отдельным точкам. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5