Вольтамперная характеристика - диод
Cтраница 2
На вольтамперной характеристике диода имеются области с различными дифференциальными сопротивлениями. Поэтому необходимая точность определения параметров может быть достигнута при соблюдении определенных условий измерения. Выясним, каковы эти условия при измерении прямой характеристики диода. [16]
По вольтамперной характеристике диода Д9Г ( рис. 58) найти: а) изменение прямого напряжения АС / пр, необходимое для изменения прямого тока / пр с 14 до 30 на; б) изменение обратного напряжения At / o6p, необходимое для изменения обратного тока / обр с 0 04 до 0 08 ма. [17]
К вольтамперным характеристикам измерительных диодов предъявляются особые требования. [18]
Чем отличается реальная вольтамперная характеристика диода от теоретической характеристики. [19]
Затем по вольтамперной характеристике диода находим его динамическое сопротивление в выбранном режиме. [20]
 |
Компоненты тока в туннельном диоде. [21] |
Формулы, описывающие вольтамперные характеристики диодов, имеют сложный вид, но в ряде случаев существенно упрощаются. [22]
Смещение рабочей точки вольтамперной характеристики СВЧ диода выбирается из соображений возможности получения максимальной амплитуды гармонических составляющих на выходе умножительной камеры. [23]
На рис. 21 приведены вольтамперные характеристики диода при различной температуре. Обратная ветвь характеристики располагается ниже, прямая ветвь смещается влево. Приведенные характеристики соответствуют выпрямительному, высокочастотному, сверхвысокочастотному и импульсному диодам. [24]
На рис. 79 приведены вольтамперные характеристики диодов. [25]
Предположим, что задана вольтамперная характеристика диода Ганна, аппроксимация которой показана на рис. 8.20. Поскольку известна характеристика, известны: пороговое напряжение С / п; пороговый ток / п; сопротивление диода в слабом электрическом поле / J0f / n / m величина тока / 0, соответствующего динамической ветви характеристики. [26]
На рис. 84 приведены вольтамперные характеристики диода ДЗОЗ. [27]
Для реализации логарифмирования используются естественная экспоненциальная вольтамперная характеристика диода или транзистора и возможность получения обратной зависимости при помощи усилителя с глубокой отрицательной обратной связью. В схеме логарифматора ( рис. 2.14, в, г) диод или транзистор в диодном включении располагается в цепи обратной связи операционного усилителя. [28]
Так как нижняя часть вольтамперной характеристики диода имеет значительную нелинейность, то детектирование без искажений возможно только при достаточных амплитудах модулированных колебаний - порядка 1 - 5 в. При малых амплитудах детектирование сопровождается заметными нелинейными искажениями. Вместо ламповых диодов могут применяться полупроводниковые. [29]
Так как нижняя часть вольтамперной характеристики диода имеет значительную нелинейность, то детектирование без искажений возможно осуществить только при достаточных амплитудах модулированных ( ма-нипулированных) сигналов порядка 1 - 5 в. При малых амплитудах детектирование сопровождается заметными нелинейными искажениями. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5