Вольтамперная характеристика - туннельный диод
Cтраница 1
Вольтамперная характеристика туннельного диода ( рис. 30) имеет участок АВ отрицательного дифференциального сопротивления. [1]
Вольтамперная характеристика туннельного диода относится к М - типу. [2]
Вольтамперные характеристики туннельных диодов на основе различных материалов приведены на рис. 4.28. Из этих кривых и табл. 3.2 и 3.3 видно, что чем больше ширина запрещенной зоны исходного материала, тем больше напряжения, при которых наблюдается максимальный ток. [3]
 |
Компоненты тока в туннельном диоде. [4] |
Деформация вольтамперной характеристики туннельного диода на различных участках нод действием облучения соответствует разной природе компонентов тока через диод. [5]
 |
Кривые, иллюстрирующие участие фононов в туннельном эффекте ( по данным Холла. [6] |
Исследование вольтамперной характеристики туннельного диода в сильных магнитных полях [67] позволяет определять эффективную массу носителей заряда. Такое определение основано на известном эффекте де - Хааса - ван - Альфена. [7]
Диффузионная ветвь вольтамперной характеристики туннельного диода, имеющая место при сравнительно больших напряжениях на диоде, деформируется при облучении качественно так же, как и у обычных ( импульсных, выпрямительных) полупроводниковых диодов: диффузионный ток уменьшается, а дифференциальное сопротивление диода увеличивается с ростом плотности потока частиц. [8]
Инжекционная компонента вольтамперной характеристики туннельного диода определяется, прежде всего, шириной запрещенной зоны полупроводникового материала, из которого изготовлен диод. Чем больше эта ширина, тем при большем напряжении появляется инжекционная часть тока туннельного диода. [9]
Методика исследования вольтамперной характеристики туннельного диода позволяет экспериментально определить вид хвоста функции плотности со-стояний. [10]
Путем применения аппроксимации вольтамперной характеристики туннельного диода ( ТД) полиномом 11 - й степени и квазилинейного метода получены выражения для поправочных коэффициентов, учитывающих нелинейность вольтамперной характеристики ТД - Даются практические рекомендации по применению исследованных схем. [11]
Таким образом, из вольтамперных характеристик туннельных диодов при низких температурах можно непосредственно установить, находятся экстремумы обеих зон в одной или разных точках р - пространства, и определить энергию соответствующих фононов. [12]
Рассмотрены физические причины изменения вольтамперной характеристики туннельных диодов при облучении. На основании обзора теоретических и экспериментальных работ дано сравнение радиационной стойкости туннельных диодов, изготовленных из различных материалов. Показано, что предельные интегральные потоки частиц для туннельных диодов составляют 101в - 1017 частиц / см2 ( для электронов) или 1015 - 1016 частиц / см2 ( для нейтронов), причем диоды из р-германия вдвое более стойкие, чем диоды из га-германия. Арсенидогаллиевые диоды и полтора-два раза уступают диодам из n - германия по стойкости к воздействию радиации, а кремниевые диоды в 6 - 10 раз менее стойки, чем диоды из л-германия. [13]
Теперь можно найти основные параметры вольтамперной характеристики туннельного диода для случая, когда участок отрицательного сопротивления определяется плотностью состояний. [14]
В противном случае полностью снять вольтамперную характеристику туннельного диода невозможно. [15]
Страницы: 1 2 3