Вольтамперная характеристика - туннельный диод
Cтраница 3
Описана методика измерения параметров туннельных диодов. Предлагаются схемы для снятия вольтамперной характеристики туннельного диода, измерения дифференциального сопротивления на падающем, участке характеристики, измерения емкости р-п перехода, сопротивления потерь и индуктивности. [31]
 |
Статическая вольтампер. [32] |
Описана методика измерения параметров туннельных диодов. Предлагаются схемы для снятия вольтамперной характеристики туннельного диода, измерения дифференциального сопротивления на падающем участке характеристики, измерения емкости р-п перехода, сопротивления потерь и индуктивности. [33]
 |
Конструкция туннельных диодов.| Схема включения ( а и вольтамперная характеристика ( б туннельного диода. [34] |
Свойства туннельного диода определяются формой его вольт-амперной характеристики, для снятия которой может быть использована схема, приведенная на рис. 6.18, а. Механизм туннельного эффекта и особенности вольтамперной характеристики туннельного диода описаны в параграфе 3.6. Напомним лишь, что на участке А Б вольтампериой характеристики ( рис. 6.18, б) туннельный диод может быть эквивалентно заменен некоторым отрицательным сопротивлением определенной величины. [35]
Вследствие малой инерционности туннельного эффекта отрицательное сопротивление практически от частоты не зависит. Наличие широкополосного отрицательного сопротивления и резкая нелинейность вольтамперной характеристики туннельного диода позволяют использовать его как. [36]
Подробное рассмотрение всех этих вопросов выходит за рамки настоящей книги. Поэтому мы лишь кратко укажем особенности зонной структуры некоторых полупроводников и рассмотрим, как они сказываются на виде вольтамперных характеристик туннельных диодов. [37]
Если на туннельный диод подать небольшое прямое напряжение ( рис. 4.27, б), туннельный ток электронов из валентной зоны р-области уменьшается, а из n - области увеличивается. При дальнейшем увеличении прямого напряжения на диоде будет уменьшаться число электронов, переходящих из зоны проводимости га-области в валентную зону р-области, так как сокращается число уровней в примесной зоне р-области, на которые могут переходить электроны ( эта зона смещается вниз относительно зоны проводимости га-области. Вольтамперная характеристика туннельного диода при этом имеет падающий участок ( рис. 4.27, г) - участок отрицательного дифференциального сопротивления. Это произойдет тогда, когда энергетические диаграммы р - и - областей сместятся так, что для свободных электронов в га-области не окажется свободных энергетических уровней в р-области. Однако при этом наблюдается ток, обусловленный диффузией электронов из п в р-область и диффузией дырок в противоположную сторону. [38]
Множитель перед интегралом представляет собой коэффициент просачивания электронов из-за туннельного эффекта. Этот множитель в теории Кэйна считается постоянным. Аналитически функция D ( U) представляется Кэйном в виде большого числа формул, описывающих по участкам всю вольтамперную характеристику туннельного диода. [39]
При наложении на р - л-переход туннельного диода обратного напряжения возрастает вероятность перехода электронов слева направо и уменьшается вероятность перехода их справа налево. Результатом этого является резкое нарастание обратного тока. Таким образом, туннельный диод не обладает свойством односторонней проводимости, более того, его сопротивление в обратном направлении меньше, чем сопротивление в прямом направлении. Полная вольтамперная характеристика туннельного диода дана на рис. 5.41. Наличие падающего участка вольтамперной характеристики ( участка отрицательного сопротивления) дает возможность использовать его для усиления и генерирования колебаний. [40]
Избыточный ток представляет собой туннельный ток через состояния в запрещенной зоне [ 4 - 6J; он обусловлен глубокими примесными уровнями в запрещенной зоне, которые образуются при наличии неконтролируемых примесей или дефектов кристаллической структуры. Радиоактивное облучение туннельного диода приводит к образованию дефектов. Плотность дефектов растет с увеличением интегрального потока частиц. Это приводит к увеличению избыточного тока, в результате чего вольтамперная характеристика туннельного диода деформируется: ток минимума / 2 растет, и при некоторой предельной дозе облучения участок отрицательного сопротивления исчезает. [41]
Страницы: 1 2 3