Вольтамперная характеристика - туннельный диод
Cтраница 2
Известно, что ток начального участка вольтамперной характеристики туннельного диода в прямом направлении связан с электронами туннелирующими с уровней, лежащих вблизи дна зоны проводимости, на свободные уровни, расположенные у верхней границы и-зоны. [16]
 |
Кривая зависимости плотности туннельного тока от положительного смещения, приложенного к электроду. [17] |
Сравнивая характеристику туннельного тока рис. V.14 с вольтамперной характеристикой реального туннельного диода ( рис. V.10), отметим, что рассмотренная нами модель дала возможность достаточно точно определить положение максимума и минимума тока относительно оси напряжений для случая германиевого туннельного диода. [18]
 |
Устройство ( а, схема включения ( б и вольтамперная характеристика ( в однопереходного транзистора. [19] |
Таким образом, вольтамперная характеристика однопереходного транзистора напоминает вольтамперные характеристики туннельных диодов, что позволяет использовать данный прибор для построения различных переключающих схем. [20]
Насколько известно авторам, физически обоснованное аналитическое выражение вольтамперной характеристики туннельного диода еще не описано, и для аналитических расчетов приходится подбирать эмпирически подходящую аппроксимацию. [21]
 |
Преобразователь ШИМ на туннелышм диоде.| Выбор. рабочей точки на вольтамперной характеристике туннельного диода. [22] |
На рис. 3.17 приведена схема модулятора ШИМ с компаратором на туннельном диоде, а на рис. 3.18 - вольтамперная характеристика туннельного диода. Ори поступлении на вход / тактового импульса длительностью примерно 0 5 мксек туннельный диод ТД открывается, а транзистор Т закрывается. [23]
Туннельный диод, подробно рассмотренный в статье [1] и в обширной библиографии, приведенной в той же статье, является, если можно так выразиться, существенно квантовым прибором; поэтому запись аналитического выражения вольтамперной характеристики туннельного диода можно произвести лишь в терминах квантовой механики. При существующем состоянии теории зависимость ii ( u ] нельзя довести до простой расчетной формы, однако она содержит в себе все физически существенные свойства нового прибора. [24]
Туннельный диод, подробно рассмотренный в статье [1] и в обширной библиографии, приведенной в той же статье, является, если можно так выразиться, существенно квантовым прибором; поэтому запись аналитического выражения вольтамперной характеристики туннельного диода можно произвести лишь в терминах квантовой механики. При существующем состоянии теории зависимость i - t ( u) нельзя довести до простой расчетной формы, однако она содержит в себе все физически существенные свойства нового прибора. [25]
 |
Диаграмма мазера с резонаторами трехуровневого. [26] |
Вольтамперная характеристика туннельного диода имеет область с отрицательным наклоном. Прибор проще в использовании, чем варактор, так как здесь не требуется источника накачки и отсутствуют паразитные частоты. Шумовые температуры, однако, не являются столь низкими, как в случае параметрических усилителей. [27]
Вольтамперная характеристика туннельного диода была набрана на блоке нелинейности НБН-1 в виде кусочно-линейной функции. [28]
 |
Принципиальная ( а и эквивалентная ( 6 схемы простейшего автогенератора на туннельном диоде.| Схемы автогенераторов на туннельных диодах. [29] |
Применение туннельного диода в схемах генераторов объясняется тем, что с помощью отрицательного сопротивления туннельного диода можно компенсировать потери в колебательном контуре и получить в нем незатухающие колебания. Поэтому рабочим участком вольтамперной характеристики туннельного диода является ее падающий участок. Ширина падающего участка характеристики туннельного диода обычно не превышает нескольких десятков милливольт. Поэтому амплитуда генерируемых колебаний в автогенераторе на туннельном диоде оказывается небольшой. [30]
Страницы: 1 2 3