Спектральная характеристика - фотодиод
Cтраница 1
 |
Фотодиод. Вольт-амперные характерн. [1] |
Спектральная характеристика фотодиода имеет ярко выраженный максимум, положение которого зависит от материалов, используемых для его изготовления. [2]
Спектральная характеристика фотодиодов также определяется со стороны больших длин волн шириной запрещенной зоны исходного полупроводникового материала, при малых длинах волн - большим показателем поглощения и увеличением влияния поверхностной рекомбинации носителей заряда с уменьшением длины волны квантов света. Таким образом, коротковолновая граница фоточувствительности фотодиода зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации. [3]
 |
Конструкция фотодиода на основе барьера Шоттки и его. [4] |
Спектральная характеристика фотодиодов подобна аналогичным характеристикам фоторезисторов ( ом. [5]
Спектральная характеристика фотодиодов также определяется со стороны больших длин волн шириной запрещенной зоны исходного полупроводникового материала, при малых длинах волн - большим показателем поглощения и увеличением влияния поверхностной рекомбинации носителей заряда с уменьшением длины волны квантов света. Таким образом, коротковолновая граница фоточувствительности фотодиода зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации. [6]
 |
Устройство ( а и условное графическое обозначение ( б германиевого фотодиода.| Вольтамперные харак. теристики германиевого фотодиода. [7] |
Спектральные характеристики фотодиодов не отличаются от характеристик фотосопротивлений, выполненных из аналогичных материалов. [8]
Спектральная характеристика фотодиода отражает характер зависимости чувствительности от длины волны лучистого потока, воздействующего на фотодиод. [9]
Спектральная характеристика фотодиодов также определяется со стороны больших длин волн шириной запрещенной зоны исходного полупроводникового материала, при малых длинах волн - большим показателем поглощения и увеличением влияния поверхностной рекомбинации носителей заряда с уменьшением длины волны квантов света. Таким образом, коротковолновая граница фоточувствительности фотодиода зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации. [10]
 |
Структура фотодиода на основе выпрямляющего контакта металл - полупроводник ( а и его энергетическая диаграмма при обратном напряжении ( б. [11] |
Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе контакта металл - полупроводник значительно шире, чем спектральная характеристика фотодиода с р-п-переходом из того же полупроводника. [12]
 |
Энергетическая диаграмма гетероперехода при обратном напряжении и при освещении его квантами света с различной энергией ( Av Av. [13] |
Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе перехода металл - полупроводник значительно шире, чем спектральная характеристика фотодиода с p - n - переходом из того же полупроводника. [14]
 |
Энергетическая диаграмма гетероперехода при обратном напряжении и при освещении его квантами света с различной энергией ( hv hv. [15] |
Страницы: 1 2 3 4