Спектральная характеристика - фотодиод
Cтраница 2
Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе перехода металл - полупроводник значительно шире, чем спектральная характеристика фотодиода с р - - переходом из того же полупроводника. [16]
Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения в данном полупроводнике. При резком увеличении коэффициента поглощения с уменьшением длины волны падающего света, например в германии, положение максимума определяется шириной запрещенной зоны ( Я тах 1 55 мкм) и практически не зависит от толщины базы. [17]
Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения в данном полупроводнике. При резком увеличении коэффициента поглощения с уменьшением длины волны падающего света, например в германии, положение максимума определяется шириной запрещенной зоны ( A 1Ila) i - - 1 55 мкм) и практически не зависит от толщины базы. [18]
Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от спектральной характеристики коэффициента поглощения материала фотодиода. Если глубина поглощения хо резко уменьшается с уменьшением длины водны падающего света, как, например в германии ( см. рис. 2.4), то положение максимума определяется шириной запрещенной волны ( А 1 55 мкм для Ge) и от толщины базы практически не зависит. Если же зависимость глубины поглощения хо от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то максимум спектральной характеристики может смещаться при изменении толщины базы и скорости поверхностной рекомбинации. [19]
Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения в данном полупроводнике. При резком увеличении коэффициента поглощения с уменьшением длины волны падающего света, например в германии, положение максимума определяется шириной запрещенной зоны ( Ат 1 55 мкм) и практически не зависит от толщины базы. [20]
 |
Световые характеристики фотодиода в фотодиодном и фотогальваническом режимах ( / и Ux. [21] |
Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от спектральной характеристики коэффициента поглощения материала фотодиода. [22]
Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе контакта металл - полупроводник значительно шире, чем спектральная характеристика фотодиода с р-п-переходом из того же полупроводника. [23]
Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе перехода металл - полупроводник значительно шире, чем спектральная характеристика фотодиода с p - n - переходом из того же полупроводника. [24]
Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе перехода металл - полупроводник значительно шире, чем спектральная характеристика фотодиода с р - - переходом из того же полупроводника. [25]
Недостатком германиевых фотодиодов является больший чем у кремниевых темновой ток, величина которого сильно зависит от температуры. Спектральные характеристики фотодиодов и фотосопротивлений, выполненных из аналогичных материалов, одинаковы. [26]
 |
Энергетическая диаграмма гетероперехода. при обратном напряжении и при освещении его кван - тами света с различной энергией ( hv hv. [27] |
При малых длинах волн падающего света ( hv A3j) кванты света поглощаются в широкозонном полупроводнике. Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе гетероперехода получается более широкой по сравнению со спектральными характеристиками фотодиодов на основе обычных р-п-переходов. [28]
При малых длинах волн падающего све-га ( Av A3) кванты света поглощаются в широкозонном полупроводнике. Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе гетероперехода получается более широкой по сравнению со спектральными характеристиками фотодиодов на основе обычных р-п-пере-ходов. [29]
При малых длинах волн падающего света ( / zv; АЗ) кванты света поглощаются в широкозонном полупроводнике. Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе гетероперехода получается более широкой по сравнению со спектральными характеристиками фотодиодов на основе обычных р-п-пере - ХОДОВ. [30]
Страницы: 1 2 3 4