Спектральная характеристика - фотодиод
Cтраница 3
Другим отличием рассматриваемых фотодиодов является то, что с уменьшением длины волны квантов света ( с ростом энергии квантов) и с увеличением показателя поглощения в полупроводнике кванты света продолжают поглощаться в слое объемного заряда, где существует электрическое поле. Поэтому коротковолновая граница спектральной характеристики фотодиодов на основе контакта металл - полупроводник расположена при более коротких волнах электромагнитного спектра. [31]
При этом, если энергия кванта излучения больше высоты потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер. В результате длинноволновая граница спектральной характеристики фотодиода Шоттки сдвигается в сторону более длинных волн. [32]
 |
Вольт-амперные характеристики фотоэлемента при различных световых потоках, падающих на фотоэлемент.| Световые характеристики фотоэлемента. [33] |
Спектральные характеристики фотоэлементов аналогичны спектральным характеристикам фотодиодов, изготовленных на основе того же полупроводника. Максимум спектральной характеристики кремниевых фотоэлементов почти соответствует максимуму спектрального распределения энергии солнечного света. Именно поэтому кремниевые фотоэлементы широко используют для создания солнечных батарей. [34]
 |
Световые характеристики фотоэлемента. [35] |
Спектральные характеристики фотоэлементов аналогичны спектральным характеристикам фотодиодов, изготовленных на основе того же полупроводника. Максимум Спектральной характеристики кремниевых фотоэлементов почти соответствует максимуму спектрального распределения энергии солнечного света. Именно поэтому кремниевые фотоэлементы широко используют для создания солнечных батарей. [36]
При малых длинах волн падающего света ( hv A3j) кванты света поглощаются в широкозонном полупроводнике. Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе гетероперехода получается более широкой по сравнению со спектральными характеристиками фотодиодов на основе обычных р-п-переходов. [37]
При малых длинах волн падающего све-га ( Av A3) кванты света поглощаются в широкозонном полупроводнике. Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе гетероперехода получается более широкой по сравнению со спектральными характеристиками фотодиодов на основе обычных р-п-пере-ходов. [38]
При малых длинах волн падающего света ( / zv; АЗ) кванты света поглощаются в широкозонном полупроводнике. Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе гетероперехода получается более широкой по сравнению со спектральными характеристиками фотодиодов на основе обычных р-п-пере - ХОДОВ. [39]
 |
Статические характеристики германиевого фотодиода. [40] |
Плоскостной фотодиод, характеристики которого показаны на рис. 2 - 54, используют в цепях с постоянным напряжением. Выходное напряжение его относительно велико. Спектральные характеристики фотодиодов подобны фотоэлементам. [41]
 |
Фотоэлементы с фронтовым ( а и тыловым, ( б фотоэффектом.| Световые характеристики фотогальванических элементов. [42] |
Световая характеристика элемента в фотодиодном режиме линейна. В вентильном режиме линеен только ее начальный участок. Максимум спектральной характеристики фотодиода расположен в инфракрасной, части спектра. Постоянная времени для фотодиодного режима ниже, чем для фотогальванического. Отечественные фотодиоды типа ФД имеют интегральную чувствительность 20 ма / лм, рабочее напряжение 15 в, ток без освещения 30 мка. [43]
Во-вторых, в фотодиоде Шоттки с ростом энергии квантов область поглощения излучения сдвигается в слой объемного заряда, где существует поле, разделяющее фотоносители. В фотодиоде с р-п переходом при малой глубине поглощения фототек практически равен нулю. Следовательно, коротковолновая граница спектральной характеристики фотодиода Шоттки расположена при более коротких волнах. Вообще спектральная характеристика фотодиода на основе контакта металл - полупроводник значительно шире, чем спектральная характеристика фотодиода с р-п переходом из того же полупроводника. [44]
Во-вторых, в фотодиоде Шоттки с ростом энергии квантов область поглощения излучения сдвигается в слой объемного заряда, где существует поле, разделяющее фотоносители. В фотодиоде с р-п переходом при малой глубине поглощения фототок практически равен нулю. Следовательно, коротковолновая граница спектральной характеристики фотодиода Шоттки расположена при более коротких волнах. [45]
Страницы: 1 2 3 4