Типичная вольт-амперная характеристика

Cтраница 1

Типичные вольт-амперные характеристики, построенные по уравнению (5.9), для двух концентраций примеси cj и с. [1]

Типичные вольт-амперные характеристики вентилей, применяемых для сварки, показаны на рис. 9.3. Падение напряжения на вентиле - нелинейная функция тока. [2]

Типичная вольт-амперная характеристика бареттора показана на фиг. За счет тепловой инерционности стабилизируются только медленные изменения тока. Резкие толчки тока передаются в сопротивление на-грузки почти без всякого изменения. Бареттор выбирается по известному току в нагрузке. [3]

Типичные вольт-амперные характеристики короны, измеренные на воздухе, электрофильтр ПГДС-70-3 с хорошо отцентрированными электродами. [4]

Типичная вольт-амперная характеристика точечного контакта показана на рис. 3 - 6, а. Обратная ветвь характеристики точечного диода значительно отличается от соответствующей ветви характеристики плоскостного диода. [5]

Типичная вольт-амперная характеристика точечного диода показана на рис. 11 - 21, а. Обратная ветвь характеристики точечного диода значительно отличается от соответствующей ветви характеристики плоскостного диода. Ввиду малой площади р - п-перехода обратный ток диода мал, участок насыщения невелик и не так резко выражен. При увеличении обратного напряжения обратный ток почти равномерно возрастает. [6]

Схематическое изображение вольт-амперной характеристики ИПД. [7]

На рис. 10.9 изображена типичная вольт-амперная характеристика ИПД. Ток в области А - Б представляет собой обратный ток утечки. Область между Б и В соответствует пробою, и ток резко возрастает при увеличении напряжения, потому что неосновные носители, инжектированные через переход с прямым смещением, проходят через / г-область под действием сильного электрического поля. [8]

На рис. 231 приведены типичные вольт-амперные характеристики вакуумных фотоэлементов для различных случаев освещенности фотоэлементов. [9]

На рис. 2.2 показана типичная вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. [10]

Структура кристалла германия с примесями, создающими электронную ( а и дырочную ( б проводимости.| Распределение плотности носителей при отсутствии внешнего электрического поля ( а и в поле обратной ( ff и прямой ( в полярности. [11]

На рис. 1.12 приведена типичная вольт-амперная характеристика полупроводникового диода в прямом ( проводящем) и обратном ( запертом) направлениях. [12]

Типовая вольт-амперная характеристика тиристора при / уэ0. [13]

На рис. 1 - 5 представлены типичные вольт-амперные характеристики тиристора и показаны различные возможные режимы работы. [14]

Вольтамперная характеристика. [15]

Страницы: 1 2 3