Типичная вольт-амперная характеристика

Cтраница 3

Вольт-амперная характеристика обращенного диода. [31]

Например, n - область легируют так, чтобы уровень Ферми располагался вблизи нижней границы зоны проводимости. Вольт-амперная характеристика такого прибора принимает специфический вид. На рис. 3.22 приведена типичная вольт-амперная характеристика обращенного диода. [32]

Фотоэмиссионная установка дисплейного типа (, . Свет входит в камеру сверху справа и падает на образец. Фотоэлектроны вылетают из образца под характеристическими углами и задерживаются полусферическими сетками. Прошедшие электроны размножаются микроканальной пластиной умножителя, направляющей усиленный пучок электронов на фосфоресцентный экран, на котором образуется фотоэмиссионное изображение в значительной части телесного угла. Спектры в любом выбранном направлении можно получить, измеряя интенсивность соответствующей точки на фосфоресцентном экране с помощью точечного фотометра в процессе развертки задерживающего потенциала на сетках. / - образец, 2 - задерживающие сетки, 3 - микроканальная пластина, 4 - фосфоресцентный экран, 5 - магнитный экран, 6 - вакуумная камера, 7 - окно для наблюдения, 8 - откачка, 9 - источник света, 10 - окно из MgF2. [33]

Для определения кинетической энергии электронов используется задерживающий потенциал VR. Знак VR определяет знак эмитирующего электрода, следовательно, положительный потенциал VR на нем будет уменьшать скорость эмиссии. Эмиссионный ток / измеряется во внешней цепи; типичная вольт-амперная характеристика показана на рис. 4.2.3. Для отрицательных значений VK фотоэмиссионный ток насыщается при значении / тах. [34]

Направление, в котором диод имеет малое сопротивление, называется прямым или проводящим, противоположное направление с большим сопротивлением называется обратным или запирающим. Соответственно ток, протекающий через диод, в зависимости от полярности приложенного напряжения называется прямым или обратным. На рис. 1 - 2 а-в приведены условное обозначение диода, схема его полупроводниковой структуры и типичная вольт-амперная характеристика. [35]

В качестве детектора ЭПР наиболее часто применяется кристаллический вентиль, или диод. Обычный кристаллический преобразующий элемент состоит из кремниевого кристалла в контакте с острием вольфрамовой пружины. Кремний содержит следы примеси и это делает его полупроводником. Типичная вольт-амперная характеристика такого элемента представлена на фиг. [36]

Не следует считать, что при самостоятельном разряде ток становится бесконечно большим. В действительности, если учитывать различные потери заряженных частиц, он всегда конечен. Более того, самостоятельный разряд может быть стационарным разрядом, для которого характерна определенная связь между силой тока и приложенной к газовому промежутку разностью потенциалов - вольт-амперная характеристика разряда. Типичная вольт-амперная характеристика разряда изображена на рис. 7.12. Если разряду соответствует некоторая точка О характеристики это значит, что процессы возникновения новых и уничтожения старых частиц компенсируют друг друга, так что ток / д, соответствующий напряжению ра, не изменяется с течением времени. Иными словами, плоскость ( ф, /), которую можно назвать плоскостью режимов разряда, разбивается вольт-амперной характеристикой на две области ( / и / /), которым соответствуют неравновесные режимы, причем области / соответствует нарастание разрядного тока, а области / / - спадание тока. Вольт-амперная характеристика, разграничивающая обе области, соответствует равновесным режимам разряда. [37]

Вольт-амперная характеристика цезиевого ТЭП в диффузионном и разрядном режимах ( генераторный режим.| Работа выхода различных граней монокристалла W. [38]

Идеальным ТЭП называют прибор с плоскими строго параллельными электродами, которым приписываются бесконечные значения теплопроводности и электрической проводимости; температура электродов не зависит от координат. Вольт-амперная характеристика идеального ТЭП хорошо совпадает с характеристикой реальных плоских диодов, когда распределение температуры и электрического потенциала по поверхности равномерное. На рис. 9.38 представлена типичная вольт-амперная характеристика цезиевого ТЭП. [39]

Принцип устройства мезадиода.| Вольт-амперная характеристика кремниевого стабилитрона при обратном токе. [40]

Как было показано, вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов в области электрического пробоя имеет участок, который может быть использован для стабилизации напряжения. Такой участок у кремниевых плоскостных диодов соответствует изменениям обратного тока в широких пределах. В настоящее время выпускаются исключительно кремниевые стабилитроны многих типов. Их также называют опорными диодами, так как получаемое от них стабильное напряжение в ряде случаев используется в качестве эталонного. На рис. 3 - 19 дана типичная вольт-амперная характеристика стабилитрона при обратном токе, показывающая, что в режиме стабилизации напряжение меняется мало. [41]

Страницы: 1 2 3