Типичная вольт-амперная характеристика

Cтраница 2

На рис. 21 - 76 приведена типичная вольт-амперная характеристика кристаллического диода, причем масштабы положительных и отрицательных полуосей тока и напряжения резко различны. Сопротивление таких диодов в прямом направлении не превышает нескольких десятков ом, а в обратном направлении достигает нескольких мегом. Плоскостные диоды имеют меньшее прямое сопротивление и большее обратное сопротивление по сравнению с точечными, но, как уже говорилось, входная емкость плоскостных диодов больше, чем у точечных. [16]

Вольт-амперные характеристики вентиля ( а и тиристора ( б, прямая ветвь в. а. х. ( в вентиля и форма питающего напряжения ( г. [17]

На рис. 5.1, а приведена типичная вольт-амперная характеристика силового вентиля. [18]

На рис. 12 - 2, в приведена типичная вольт-амперная характеристика диода. [19]

Типовая схема защиты электроизмерительного прибора от перегрузки с помощью полупроводникового стабилитрона. [20]

Типовая схема защиты электроизмерительного прибора с помощью полупроводникового стабилитрона приведена на рис. 1 - 23, а на рис. 1 - 24 показана типичная вольт-амперная характеристика низковольтного кремниевого стабилитрона, причем наиболее интересные участки характеристики показаны в более крупном масштабе. В прямом направлении вольт-амперная характеристика стабилитрона практически не отличается от прямой ветви характеристики любого кремниевого диода. Обратная ветвь характеристики стабилитрона имеет резкий перелом, который объясняется наступлением пробоя. [21]

Вольт-амперными характеристиками фотоэлементов называют зависимость фототока / ф от напряжения анода Uд при неизменном световом потоке Ф const. Типичная вольт-амперная характеристика фотоэлемента представлена на рис. 13.2. При малых значениях ( Уд ( участок /) в приборе реализуется режим объемного заряда ( см. гл. [22]

Поведение схемы существенно зависит от данных неоновой лампы. На рис. 158 изображена типичная вольт-амперная характеристика такой лампы. [23]

Статическим сопротивлением гст нелинейного элемента в заданной точке вольт-амперной характеристики называют величину, равную отношению напряжения к току при режиме, соответствующем данной точке. На рис. 4.13 и 4.14 приведены наиболее типичные вольт-амперные характеристики, отдельные участки которых могут входить во многие характеристики самых разнообразных нелинейных элементов. [24]

Зависимость анодного тока диода от температуры катода при различных постоянных значениях напряжения на аноде. [25]

Этот график называется вольт-амперной характеристикой диода. На рис. 2 - 12 изображена типичная вольт-амперная характеристика диода, используемого в качестве детектора и выпрямителя. [26]

Вольт-амперные ха - торая объясняется главным рактеристики разрядников. образом неравномерностью. [27]

Важной характеристикой разрядника является его вольт-амперная характеристика U f ( f), представляющая собой зависимость ( напряжения на разряднике, возрастающего до пробивного, от тока, протекающего через разрядник. На рис. 20 - 3 представлены типичные вольт-амперные характеристики реальных разрядников и для сравнения приведена характеристика идеального разрядника в виде прямой 1, показывающая, что в идеальном случае напряжение на разряднике круто поднимается от нуля до величины его пробивного напряжения и остается постоянным независимо от тока, проходящего через разрядник. [28]

Распределение потенциала в прикатодном слое при термодинамическом равновесии плазмы с катодом ( диффузионный режим. а - для х.и.. f - для х Ц. [29]

В режиме НД за счет образования достаточно большого прикатодного падения напряжения ф, ( рис. 3), препятствующего возврату плазменных электронов на катод, снимаемый ток близок к эфф. ЭФФ / л ехр ( - ефя / ЛГ), где ф - потенциал киртуалыюго катода, к-рый возникает в условиях, когда ХкЦв - Для этих условий типичная вольт-амперная характеристика ( ВАХ) ТЭП приведена на рис. 4; здесь АВ - диффузионная ветвь; ВС-неустойчивый участок ВА Х, соответствующий поджигу НД; CD - е участок шнурования тока; DK-участок виртуального катода ( режим с объемной ионизацией. [30]

Страницы: 1 2 3