Хемосорбция - атом
Cтраница 1
Хемосорбция атомов и молекул на поверхности полупроводников и диэлектриков, также как и хемосорбция на переходных металлах, в существенной мере определяется локальными взаимодействиями между адсорбатом и активным центром. Сложные и многообразные явления, происходящие на поверхности в этом случае, сохраняя общие для процесса хемосорбции закономерности, имеют ряд особенностей. Они связаны с чередованием основных и кислотных центров, наличием гидроксильного покрова, специфическим строением дефектов и другими структурными и электронными факторами. [1]
В случае слабой хемосорбции атома С1, изображенной на рис. 5, а, связь обеспечивается затягиванием электрона с иона С1 - решетки, служащего адсорбционным центром, на адсорбированный атом или, если можно так выразиться, затягиванием дырки с атома С1 в решетку. Мы имеем здесь дело со связью того же типа, как в молекулярном ионе СЬ - Дипольный момент, возникающий при этом, имеет противоположное направление, чем в предыдущем случае. [2]
Например, энергия хемосорбции атомов кислорода на вольфраме Еа 617, 4кДж моль-1, а энергия физической адсорбции Еф обычно равна нескольким килоджоулям на моль. [3]
Поскольку же сг0 для хемосорбции атомов водорода на никеле значительно превышает указанное значение, мы пришли к выводу, что в этом случае уравнение ( 66) дает завышенную величину AQ. Отдавая себе отчет, что выведенная им величина AQ является, вообще говоря, завышенной, Темкин предлагает заменить массу электрона т эффективной массой. Вследствие ряда допущений теория Темкина не отражает специфического характера металлов, а основывается лишь на различиях в значениях ст0 и, таким образом, слишком упрощает реальные явления. [4]
Поскольку же сто для хемосорбции атомов водорода на никеле значительно превышает указанное значение, мы пришли к выводу, что в этом случае уравнение ( 66) дает завышенную величину AQ. Отдавая себе отчет, что выведенная им величина AQ является, вообще говоря, завышенной, Темкин предлагает заменить массу электрона т эффективной массой. Вследствие ряда допущений теория Темкина не отражает специфического характера металлов, а основывается лишь на различиях в значениях аи и, таким образом, слишком упрощает реальные явления. [5]
Существование различных типов связи при хемосорбции атома А на ионном кристалле MR обусловлено в конечном счете наличием в таком кристалле свободных электронов и дырок, которые выполняют функции свободных положительных и отрицательных валентностей соответственно и которые могут быть привлечены ( или могут быть не привлечены) к участию в связи. [6]
 |
Электронные переходы при люминесценции. [7] |
Первый из этих актов представляет собой хемосорбцию атома или радикала С с образованием слабой связи с поверхностью. [8]
Имеющиеся данные указывают также на промежуточную реакцию хемосорбции атомов Н ( или ионов) на поверхности катализатора. [9]
Метод основан на изменении электронных свойств полупроводников вследствие хемосорбции атомов и радикалов. [10]
Аналогичным образом снижается поверхностная энергия графита за счет хемосорбции атомов металла из расплава или газовой фазы. Снижение поверхнортной энергии может привести к релаксации внутренних напряжений, всегда имеющихся в углеродных материалах, что в свою очередь приводит к существенному изменению их структуры. [11]
 |
Корреляция между селективностью S деалкилирования толуола и значением индекса Вайберга WCG разрываемой связи. [12] |
Полезными для оценки свойств катализаторов могут оказаться данные расчетов хемосорбции атомов и малых молекул ( Н, О, СО, NO и др.) на металлах, оксидах и других твердых телах. Кванто-вохимические исследования такого рода весьма многочисленны. Их результаты, как правило, находятся в качественном согласии с экспериментом и подтверждают закономерности адсорбции, освещенные в гл. [13]
Квазифермионная модель позволяет получить достаточно простые формулы для расчета энергии хемосорбции атомов и молекул на металлических кластерах. [15]
Страницы: 1 2 3