Сложный инвертор

Cтраница 1

Сложный инвертор благодаря малым выходным сопротивлениям в обоих выходных состояниях обладает хорошей нагрузочной способностью: к одному выходу в зависимости от типа микросхемы можно подключать от 10 до 30 входов ТТЛ той же серии. Если же соединить между собой выходы разных микросхем, то, когда в одном элементе открытым окажется верхний, а в другом нижний транзистор, в цепи потечет ток, ограниченный только резистором Rs ( см. рис. 5 - 2, с), опасный для выходных транзисторов. [1]

Сложный инвертор необходим для получения высокой нагрузочной способности логического элемента и, высокого быстродействия. [2]

Реализация монтажного ИЛИ на элементах ДТЛ-типа. [3]

Сложный инвертор будет подробно рассмотрен ниже при анализе транзисторно-транзисторных схем, в которых он является неотъемлемой частью элементов. [4]

Схема сложного инвертора на рис. 8 - 23 отличается от схемы на рис. 8 - 21 тем, что вместо сдвоенного транзистора Т2, ТЗ используется один транзистор ТЗ с диодом Д в цепи эмиттера. Диод увеличивает напряжение отпирания транзистора ТЗ и тем улучшает пороговые свойства инвертора. [5]

Как работает сложный инвертор в ТТЛ-схеме. [6]

Транзистор с диодом Шотки ( а и его условное обозначение.| Транзисторный переключатель тока. [7]

Благодаря применению сложного инвертора элемент имеет малое выходное сопротивление как в. [8]

Микросхема ДТЛ со сложным инвертором.| Эпюры напряжений в цепи элементов ДТЛ при их переключении. [9]

Элемент дополнен сложным инвертором, который состоит из фазорасщепитеяя на транзисторе TI и двухтактного усилителя мощности на транзисторах TI - Т4, работающих в ключевом режиме. Когда входные диоды проводят, фазорасщепитель закрыт, поэтому закрыт и транзистор TI. Когда входные диоды запираются, отпираются транзисторы TI и TI и на выходе устанавливается низкий потенциал. Применение сложного инвертора наряду с увеличением нагрузочной способности элемента одновременно способствует повышению его помехоустойчивости, так как эмиттерный переход транзистора TI играет роль смещающего диода. [10]

Схема со сложным инвертором ( рис. 6.9, а) обеспечивает достаточную помехоустойчивость, так как потенциал отпирания двух последовательно включенных транзисторов 7 и Т3 равен сумме потенциалов отпирания транзисторов. [11]

Логический элемент со сложным инвертором по сравнению с простейшим занимает значительно большую площадь кристалла. По этой причине, а также вследствие большой потребляемой мощности его применение ограничено цифровыми микросхемами малой и средней степеней интеграции. [12]

Микросхема ДТЛ со сложным инвертором.| Эпюры напряжений в цепи элементов ДТЛ при их переключении. [13]

В ИМС со сложным инвертором во время переключения возникают большие перепады тока, которые вызывают заметные колебании в цепях источников питания. Эти перепады тока, образуемые во время переходного процесса из-за одновременного насыщения выходных транзисторов TI - Тц, вызывают перегрузки транзисторов, способные вывести их из строя. [14]

В элементе со сложным инвертором в нагрузку подается эмиттерньш ток транзистора Т4, работающего в схеме эмиттерного повторителя. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5