Сложный инвертор
Cтраница 4
С развитием и совершенствованием технологии базовым для ТТЛ стал ключ со сложным инвертором, который позволил практически полностью устранить недостатки схем с простыми инверторами. Транзистор VT4 рассчитан на большой рабочий ток и имеет малое время выхода из режима насыщения при переключении схемы. Через этот транзистор стекают на землю входные токи ключей-нагрузок. Способность рассматриваемой схемы работать на большую емкостную нагрузку при высоких скоростях переключения объясняется тем, что в них как заряд, так и разряд нагрузочной емкости происходит через низко-омную выходную цепь. При UBXt 0 ( на один из эмиттеров VT1 подан потенциал корпуса) переход база - эмиттер ( б - э) транзистор VT1 открыт. Потенциал на базе VT4 близок к нулю и транзистор VT4 закрыт. Потенциал на коллекторе VT2 и на базе VT3, близкий к напряжению источника питания 5 В, открывает б - э переход VT3 и р - п переход VD, вызывая в нагрузке ток Лвых. [46]
В некоторых модификациях схем преобразователей уровней вместо простого инвертора на транзисторе Ts применяется сложный инвертор, обеспечивающий лучшие нагрузочные и динамические параметры преобразователей. [47]
В этой схеме логическим 1 и 0 соответствуют выходные сигналы низкого и высокого уровней сложного инвертора. Роль конъюнктора на четыре входа в этой схеме выполняет многоэмиттерный транзистор TI. На транзисторах Т3 и Г4 реализован сложный инвертор. [48]
В промышленности для повышения нагрузочной способности логических элементов ДТЛ и ТТЛ используют схемы со сложным инвертором. Инвертирование фазы сигнала осуществляется сложным инвертором на транзисторах Т2, Т3, Т, питание элемента - источником постоянного напряжения Ек 5 В. [49]
 |
Передаточная характеристика цифрового элемента в усилительном режиме. [50] |
В линейном режиме элементы ТТЛ с открытым коллектором предпочтительны по сравнению с элементами со сложным инвертором: более стабильны, потребляют меньше энергии и имеют больший динамический диапазон. [51]
В тех случаях, когда требуется обеспечить большую нагрузочную способность, применяют ДТЛ-элементы со сложным инвертором, описание работы которого приведено далее. [52]
Среди схем насыщенного типа при использовании транзисторов с относительно малым временем рассасывания заряда наибольшим быстродействием обладают ТТЛ со сложными инверторами. Быстродействие этих схем повышается при модификации основной схемы включением дополнительного транзистора в нагрузку каскада инвертора ( см. рис. 4.10, б), причем наибольшее быстродействие имеют ИМС с переходами Шоттки, которые препятствуют насыщению транзисторов. [53]
Для повышения помехоустойчивости, нагрузочной способности и обеспечения высокого быстродействия при значительно большей емкости нагрузки в элементах ТТЛ используют сложный инвертор. Такие элементы применяют в микросхемах малой и средней степеней интеграции, а также в выходных каскадах БИС. [54]
Таймер SE / NE555 имеет два выходных каскада, первый из которБ1х ( на транзисторах TIO - Т2з) представляет собой сложный инвертор, позволяющий согласовать таймер с интегральными микросхемами ТТЛ. [55]
 |
Микросхема МДТЛ на транзисторных структурах с разомкнутым эмиттером. [56] |
Разновидностью элемента ДТЛ является также элемент диодно-транзисторной логики с дополнительной симметрией ( ДСДТЛ), представляющий собой элемент МДТЛ со сложным инвертором на выходе. [57]
Представленная на рис. 4.26 схема состоит из схемы И, образованной многоэмиттерным транзистором 7 и резистором i ( и так называемого сложного инвертора, выполняющего операцию НЕ. Рассмотрим работу названных каскадов элемента И - НЕ. [58]
Транзисторно-транзисторные цифровые ИМС ( транзисторно-транзисторная логика - ТТЛ) состоят из схемы И, выполненной на основе многоэмиттерного транзистора, и сложного инвертора, собранного из нескольких транзисторов. [59]
В промышленности для повышения нагрузочной способности ( увеличения максимально допустимого тока выходной цепи) логических элементов ДТЛ и ТТЛ используют схемы со сложным инвертором. Инвертирование фазы сигнала осуществляется сложным инвертором на транзисторах Г, , Г3, Т4, питание элемента - источником постоянного напряжения Ек 5 В. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5