Кристаллографический индекс

Cтраница 1

Кристаллографические индексы его определятся при совмещении проекции кристалла со стандартной проекцией. [1]

Кристаллографические индексы Миллера - это три целых числа, обратно пропорциональные расстояниям до точек пересечения плоскости с осями a, b и с. Расстояние dhM между двумя любыми соседними плоскостями семейства ( hkl) одинаково и может быть легко вычислено из параметров элементарной ячейки. [2]

Некоторые важные направления и их кристаллографические индексы ( в двойных квадратных скобках записаны координаты точек, не совпадающих с узлами решетки.| Некоторые важные плоскости и их кристаллографические индексы. [3]

Кристаллографические индексы направлений ( и плоскостей) определяют положение в про-странстве кристалла семейства параллельных прямых ( и плоскостей), проходящих через узлы ПР. [4]

Схема установки для определения затухания фотопроводимости. 1 - светодиод ( или лазер. 2 - образец. 3 - усилитель. 4 - осциллограф. [5]

Определение кристаллографических индексов плоскости торцевого среза ( и, естественно, отклонения от заданной ориентации) осуществляется оптическими и рентгеновскими методами. [6]

Важнейшие плоскости кубической решетки и их индексы.| Важнейшие плоскости гексагональной решетки и их индексы. [7]

Под кристаллографическими индексами направления понимают три целых взаимно простых числа, пропорциональных координатам любого атома, расположенного на данном направлении, измеренным в осевых единицах. [8]

При установлении кристаллографических индексов данного направления его необходимо перенести параллельно самому себе в начало координат. [9]

Поверхность базисной грани с кристаллографическим индексом ( 0001) адсорбентов со слоистой решеткой типа МХ2 заселена ионами одного типа, например ионами хлора. Из рис. 1 6, где приведены изотермы адсорбции ксенона на образцах NiCl2 [304], видно существенное влияние недостаточно откачанной воды на форму изотермы. Изотерма адсорбции имеет несколько ступеней благодаря выходу на поверхность кристаллов нескольких граней. В случае же образца, из которого длительной откачкой удалена вода, в области преимущественного заполнения монослоя на всей поверхности адсорбента наблюдается двухступенчатая изотерма адсорбции. [10]

Пример определения индексов плоскости.| Периоды кристаллических решеток металлических карбидов и нитридов. [11]

Ориентировка семейства направлений и плоскостей в решетке однозначно определяется кристаллографическими индексами. [12]

Формы элементарных ячеек различных сиигоний.| Межплоскостные расстояния и кристаллографические индексы некоторых атомных плоскостей. [13]

Полученные таким образом три взаимно простых числа ( hkl) и являются кристаллографическими индексами как данной атомной плоскости, так и всего семейства параллельных ей атомных плоскостей. [14]

Расстояния 2х между текстурными максимумами. [15]

Страницы: 1 2 3 4