Кристаллографический индекс
Cтраница 2
В ряде случаев исследователю бывает известно расположение оси текстур в образце, но остаются неизвестными кристаллографические индексы оси текстуры. Так, например, известно, что ось текстуры тянутой проволоки параллельна направлению протяжки, а ось текстуры электролитического осадка перпендикулярна плоскости катода при параллельности плоскостей анода и катода при отсутствии искажения силового поля во время электролиза. [16]
На поверхности твердых кристаллов ось легкого ориентирования всегда совпадает с одним из атомных рядов с низкими кристаллографическими индексами. Если у поверхности твердого кристалла имеется несколько осей симметрии, то с ними совпадают и несколько осей легкого ориентирования жидкого кристалла, что приводит к сложной ориентации и неоднородной текстуре ЖКК. Для большинства нематиков на твердой поверхности наблюдается шганарная ориентация, например на сколах CaF2, монокристаллах MgO и др. На аморфном стекле наблюдается как планарная, так и гомеотропная ориентации. Таким образом, ориентация как нематиков, так и холестериков на рельефных поверхностях определяется энергетическими причинами - выигрышем в свободной энергии. [17]
Расщепление адсорбционных максимумов обусловлено поликристаллическим строением оплавленного висмутового электрода, на поверхности которого выходят грани с различными кристаллографическими индексами. Основной причиной этого является различие в значениях потенциала нулевого заряда фЕо на различных гранях монокристалла. Значение ф80 базисной грани ( 111) монокристалла висмута в растворе K2SO4 составляет - 0 68 в ( нас. [19]
Пространственное положение кристаллографических плоскостей ( плоскостей, проходящих через определенные группы атомов кристаллической решетки), а также кристаллографических направлений характеризуется кристаллографическими индексами. [20]
Явление это объясняется тем, что потенциалы адсорбционных пиков на монокристаллических электродах из одного и того же металла, но и с различными кристаллографическими индексами не совпадают друг с другом ( при сорг const) из-за соответствующего различия в потенциалах нуЛеВО - го заряда. [22]
Идеальной текстурой прокатки латуни является 110 Н2, при рекристаллизации листовой латуни обычно возникает текстура 225 734, которая, как видно из сравнения кристаллографических индексов, очень близка к идеальной ориентировке. [23]
Для поликристаллических металлов область обратимой адсорбции может быть более широкой, чем на ртути, так как граням одного и того же кристалла с различными кристаллографическими индексами соответствуют разные работы выхода, а следовательно, и разные нулевые точки. На практике, однако, наблюдается обычно обратная картина - область потенциалов, внутри которой происходит адсорбция на твердых металлах в условиях их электроосаждения, оказывается уже, чем определенная из данных электрокапиллярных или емкостных измерений на ртути. Появляется необходимость постоянного восполнения убыли поверхностно-активных веществ в прикатодном слое, в связи с чем важное значение начинает приобретать диффузия. [24]
Поверхность металла имеет поликристаллическое строение и довольно сложный рельеф: из-за разной ориентации кристаллитов на поверхность выступают различные кристаллографические грани: гладкие грани с низким кристаллографическим индексом и ступенчатые грани с высоким индексом. [25]
Для поликристаллических металлов область обратимой адсорбции может быть более широкой, чем на ртути, так как граням одного и того же кристалла с различными кристаллографическими индексами соответствуют различные работы выхода, а следовательно, и различные нулевые точки. На практике, однако, наблюдается обычно обратный эффект-область потенциалов, внутри которой происходит адсорбция на твердых металлах в условиях их электроосаждения, оказывается уже, чем определенная из данных электрокапиллярных или емкостных измерений на ртути. [26]
Для поликристаллических металлов область обратимой адсорбции может быть более широкой, чем на ртути, так как граням одного и того же кристалла с различными кристаллографическими индексами соответствуют разные работы выхода, а следовательно, и разные нулевые точки. [27]
Для поликристаллических металлов область обратимой адсорбции может быть более широкой, чем на ртути, так как граням одного и того же кристалла: с различными кристаллографическими индексами соответствуют разные работы выхода, а следовательно, и разные нулевые точки. На практике, однако, наблюдается обычно обратная картина - область потенциалов, внутри которой происходит адсорбция на твердых металлах в условиях их электроосаждения, оказывается уже, чем определенная из данных электрокапиллярных или емкостных измерений на ртути. Появляется необходимость постоянного восполнения убыли поверхностно-активных веществ в прикатодном слое, в связи с чем важное значение начинает приобретать диффузия. [28]
Во время процесса окисления при температурах ниже температуры плавления серебра создаются электрические и термические поля, которые облегчают испарение металла и поверхностную миграцию его атомов; при этом образуются четко выраженные грани с простыми кристаллографическими индексами. [29]
 |
Важнейшие направления в кубической решетке и их индексы [ uvw ]. [30] |
Страницы: 1 2 3 4