Кристаллографический индекс

Cтраница 4

Индексы плоскости - это три целых числа, заключенных в круглые скобки и представляющих собой приведенные к целым числам значения обратных величин отрезков, отсекаемых плоскостью на осях х, у, г. За единицы длины принимают параметры решетки а, Ь, с. Если плоскость отсекает отрицательные отрезки, то знак минус ставится над соответствующим индексом. Кристаллографические индексы отражают положение не только данной плоскости, но целого семейства плоскостей, ей параллельных. [46]

Все параллельные направления или узловые прямые обозначаются одинаковыми индексами. При установлении этих кристаллографических индексов рассматривается та конкретная узловая прямая из данного семейства параллельных узловых прямых, которая проходит через начало координат. Под кристаллографическими индексами узловой прямой ( направления) понимают три целых взаимно простых числа, пропорциональных измеренным в осевых единицах координатам любого атома, лежащего на данном направлении. [47]

Одномерная развертка обратной решетки ( по методу Дебая - Шеррера [206]) описывается скалярным равенством, содержащим модули векторов g и R. Двухмерная развертка ( по методу Лауэ и др.) описывается векторным равенством. В методе Лауэ [206] проектируются только те узлы, кристаллографические индексы которых удовлетворяют условию зональности отражающих плоскостей. [48]

Кварц. а - правый, б - левый. [49]

При выборе кристаллографических осей необходимо придерживаться правил ( см. табл. 1.1), принятых в кристаллографии и обязательных для всех исследователей. Выполнение этих правил сводит к минимуму возможный в этом случае произвол. Следует всегда помнить, что от расположения осей координат зависят кристаллографические индексы, определяющие положение узловых плоскостей и направлений в кристалле. [50]

Среди бесконечного множества плоскостей, проходящих через данный атом, выделяют плоскости, проходящие через центры других атомов. Эти плоскости, называемые кристаллографическими, обозначаются так называемыми индексами Миллера. Кристаллографическая плоскость определяется координатами точек пересечения ее с осями, а индексы Миллера представляют собой обратные величины этих координат. Отсюда следует, что в кубической решетке индексы Миллера для любой кристаллографической плоскости равны кристаллографическим индексам перпендикуляра к этой плоскости. [51]

Еще одно прямое подтверждение конкуренции атомов Р и С при адсорбции на границах зерен дают результаты работы ТЗб ], показывающие, что после закалки от 800 С образца из а-железа с 0 52 % Р и 0 002 % С средняя концентрация Р на разных границах зерен примерно в 2 раза выше, чем в образце с тем же содержанием Р и 0 012 % С. Образец с промежуточным содержанием углерода ( 0 008 %) показывает и промежуточную среднюю концентрацию Р на границах. Для каждого образца Оже-спектроскопия выявляет значительную анизотропию обогащения примесями различных межзеренных границ, причем те границы, которые обнаруживают повышенную концентрацию фосфора, имеют и повышенную концентрацию углерода. Основываясь на данных [126], показавших, что концентрация фосфора на границах зерен в ct - Fe слабо чувствительна к углу разориентировки и типу границ ( наклона или кручения), но возрастает для границ, лежащих в плоскости с большими кристаллографическими индексами, авторы работы [125] полагают, что такие границы имеют большую адсорбционную емкость как для фосфора, так и для углерода. [52]

Была исследована [6, 26, 27, 32-44] связь между общим количеством и отдельными формами адсорбированного на германии кислорода, распределением потенциала и скоростью поверхностной рекомбинации. Как видно из поляризационной кривой восстановления ( адсорбированного кислорода, снятой при линейной развертке потенциала ( рис. 6), кислород присутствует на поверхности в нескольких ( двух или трех) энергетически различных формах. Аналогичные максимумы на подобных кривых хорошо известны и для других электродных материалов, например платиновых металлов. Было высказано предположение [40], что разные формы адсорбированного на германии кислорода возникают из-за различия энергии адсорбции на микрогранях с разными кристаллографическими индексами. [53]

Страницы: 1 2 3 4